[1361дона саҳҳомӣ]
- Рақами Қисм:
- MT47H32M8BP-37E:B TR
- Истеҳсолкунанда:
- Micron Technology Inc.
- Тавсифи муфассал:
- IC DRAM 256M PARALLEL 60FBGA.
- Manufacturer's standard lead time:
- Дар фурӯш
- Муҳлати нигоҳдорӣ:
- Як сол
- Chip Аз:
- Гонконг
- RoHS:
- Намуди пардохт:
-
- Тарзи интиқол:
- Категорияҳои оила:
- KEY Component Co., LTD як дистрибютор оид ба қисматҳои электронӣ мебошад, ки категорияҳои маҳсулотро пешниҳод мекунад, аз ҷумла: PMIC - Ронандагони LED, Гирифтани маълумот - Назорати экранҳои сенсорӣ, Мантиқ - ҳисобкунакҳо, тақсимкунандагон, Интерфейс - интерфейсҳои сенсор ва детектор, Воридшуда - Микроконтроллер, Микропроцессор, Модул, PMIC - Ҳисобкунии энергия, Ба даст овардани маълумот - Табдили рақамӣ ба анал and Соат / Вақтсанҷ - Вақтсанҷи барномарезишуда ва осц ...
- Афзалияти рақобатӣ:
- We specialize in Micron Technology Inc. MT47H32M8BP-37E:B TR electronic components. MT47H32M8BP-37E:B TR can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for MT47H32M8BP-37E:B TR, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
MT47H32M8BP-37E:B TR Аттрибутҳои маҳсулот
Рақами Қисм :
MT47H32M8BP-37E:B TR
Истеҳсолкунанда :
Micron Technology Inc.
Тавсифи :
IC DRAM 256M PARALLEL 60FBGA
Серияхо :
-
Статуси Қисми :
Obsolete
Намуди хотира :
Volatile
Формати хотира :
DRAM
Технология :
SDRAM - DDR2
Андозаи хотира :
256Mb (32M x 8)
Фосилаи соат :
267MHz
Вақти давраро нависед - Калом, Саҳифа :
15ns
Вақти дастрасӣ :
500ps
Интерфейси хотира :
Parallel
Шиддат - Таъмин :
1.7V ~ 1.9V
Ҳарорати амалиётӣ :
0°C ~ 85°C (TC)
Навъи монтаж :
Surface Mount
Бастаи / Парвандаи :
60-FBGA
Бастаи дастгоҳҳои таҳвилкунанда :
60-FBGA (8x12)
Охирин хабарҳо
Шояд шумо низ таваҷҷӯҳ зоҳир карда метавонед
-
-
-
IS49RL18320-093BL
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IC DRAM 576M PARALLEL 168BGA. DRAM RLDRAM3 Memory, 576M Common I/O, 1066Mhz
-
IS49RL36160-093BL
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IC DRAM 576M PARALLEL 168BGA. DRAM RLDRAM3 Memory, 576M Common I/O, 1066Mhz
-
IS49RL18320-107EBL
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IC DRAM 576M PARALLEL 168BGA. DRAM RLDRAM3 Memory, 576M Common I/O, 933Mhz
-
IS49RL36160-107EBL
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IC DRAM 576M PARALLEL 168BGA. DRAM RLDRAM3 Memory, 576M Common I/O, 933Mhz
Қисмҳои гарм
- AT88SC25616C-PU
- MT48LC4M32B2B5-6:G TR
- MT46V64M8TG-75:D
- M24C04-WDW6T
- AT29BV010A-12JI
- AT93C46C-10SI
- AT27C4096-55JC
- AT25640T1-10TI
- W25Q64FVTCJQ TR
- MT53B512M16D1Z11NWC1
- MT53D8DANZ-DC
- MT53D4DANW-DC
- MT53B256M32D1NK-062 XT ES:C TR
- 70V25L45J
- 7130SA55TFI8/2703
- MT53D768M64D8JS-053 WT:D TR
- CG8278AA
- IS61QDB22M18C-250M3
- PF58F0095HVT0B0A
- W631GU8KB-12
- IS43TR16128A-15HBL
- S99FL116K0XMFI043
- AT45DB041D-SU-SL383
- JS28F640J3F75G
- CY62138FLL-45ZSXI
- AT28LV64B-25PC
- MR0A08BCSO35R
- MT29F128G08AKAAAC5:A
- PC48F4400P0VB0EA
- M29W320DT70N3F TR
- M29W256GSH70ZS6E
- IDT71V416YL12PH8
- 71342LA20PF
- 7008L20JI8
- IS42S32800D-75ETL-TR
- AT24C04B-TH-B
- M45PE40-VMP6G
- CY62137VNLL-70ZSXET
- MX29LV400CTTC-70G
- S25FL164K0XMFI003