Рақами Қисм :
HN1B01FU-Y(L,F,T)
Истеҳсолкунанда :
Toshiba Semiconductor and Storage
Тавсифи :
TRANS NPN/PNP 50V 0.15A US6
Навъи транзистор :
NPN, PNP
Ҷорӣ - Коллектор (Ic) (Макс) :
150mA
Шиддат - Тақсими эмитентҳои коллекторӣ :
50V
Ҷойгиркунии Vce (Max) @ Ib, Ic :
300mV @ 10mA, 100mA
Ҷорӣ - Қатъи коллеҷ (Макс) :
100nA (ICBO)
DC ҷорӣ фоида (hFE) (Мин) @ Ic, Vce :
120 @ 2mA, 6V
Фосила - гузариш :
120MHz
Ҳарорати амалиётӣ :
125°C (TJ)
Навъи монтаж :
Surface Mount
Бастаи / Парвандаи :
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Бастаи дастгоҳҳои таҳвилкунанда :
US6