Central Semiconductor Corp - CBR1F-D080

KEY Part #: K6541286

Категорияҳои оила:: KEY Component Co., LTD як дистрибютор оид ба қисматҳои электронӣ мебошад, ки категорияҳои маҳсулотро пешниҳод мекунад, аз ҷумла: Транзисторҳо - ФЕТҳо, MOSFETҳо - RF, Транзисторҳо - FETS, MOSFETҳо - ягона, Диодҳо - Иқтидори тағйирёбанда (Варикапс, Варактор, Транзисторҳо - ФЕТҳо, MOSFETҳо - Массивҳо, Транзисторҳо - Биполярӣ (BJT) - Ягонагӣ, қабеҳ, Транзисторҳо - JFETs, Диодҳо - RF and Диодҳо - Зенер - Массивҳо ...

Афзалияти рақобатӣ:: We specialize in Central Semiconductor Corp CBR1F-D080 electronic components. CBR1F-D080 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for CBR1F-D080, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com

Рақами Қисм : CBR1F-D080

Истеҳсолкунанда : Central Semiconductor Corp

Тавсифи : BRIDGE RECT 1PHASE 800V 1A 4DIP

Серияхо : -

Статуси Қисми : Obsolete

Навъи диод : Single Phase

Технология : Standard

Шиддат - Пурсиши баландтарин (макс) : 800V

Ҷорӣ - Меъёрҳои ислоҳшуда (Io) : 1A

Шиддат - Ирсол (Vf) (Макс) @ Агар : 1.3V @ 1A

Ҷорӣ - Рафъшавии баръакс @ Vr : 10µA @ 800V

Ҳарорати амалиётӣ : -65°C ~ 150°C (TJ)

Навъи монтаж : Through Hole

Бастаи / Парвандаи : 4-EDIP (0.300", 7.62mm)

Бастаи дастгоҳҳои таҳвилкунанда : 4-DIP

Шояд шумо низ таваҷҷӯҳ зоҳир карда метавонед

TB8S-G

Comchip Technology

BRIDGE RECT 1P 800V 800MA 4TBS. Bridge Rectifiers VR=800V IF(AV)=1A
GBU8D-E3/45

Vishay Semiconductor Diodes Division

BRIDGE RECT 1PHASE 200V 3.9A GBU. Bridge Rectifiers 200 Volt 8.0 Amp Glass Passivated
KBP08ML-6747E4/51

Vishay Semiconductor Diodes Division

BRIDGE RECT 1P 800V 1.5A KBPM.
KBP08M-9E4/51

Vishay Semiconductor Diodes Division

BRIDGE RECT 1P 800V 1.5A KBPM.
KBP08M-6E4/51

Vishay Semiconductor Diodes Division

BRIDGE RECT 1P 800V 1.5A KBPM.
KBP06ML-6161E4/72

Vishay Semiconductor Diodes Division

BRIDGE RECT 1P 600V 1.5A KBPM.

Қисмҳои гарм