[9816дона саҳҳомӣ]
- Рақами Қисм:
- CY7C1318BV18-200BZI
- Истеҳсолкунанда:
- Cypress Semiconductor Corp
- Тавсифи муфассал:
- IC SRAM 18M PARALLEL 165FBGA.
- Manufacturer's standard lead time:
- Дар фурӯш
- Муҳлати нигоҳдорӣ:
- Як сол
- Chip Аз:
- Гонконг
- RoHS:
- Намуди пардохт:
-
- Тарзи интиқол:
- Категорияҳои оила:
- KEY Component Co., LTD як дистрибютор оид ба қисматҳои электронӣ мебошад, ки категорияҳои маҳсулотро пешниҳод мекунад, аз ҷумла: Интерфейс - Гузаришҳои аналогӣ - Ҳадафи махсус, Интерфейс - Сабти овоз ва навозиш, Интерфейс - UARTs (Интиқоли қабулкунандаи универса, PMIC - Маълумот оид ба шиддат, Воридшуда - микроконтроллерҳо, Интерфейс - Синтези мустақими рақамӣ (DDS), Хатӣ - Коркарди видео and PMIC - Нозирон ...
- Афзалияти рақобатӣ:
- We specialize in Cypress Semiconductor Corp CY7C1318BV18-200BZI electronic components. CY7C1318BV18-200BZI can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for CY7C1318BV18-200BZI, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
CY7C1318BV18-200BZI Аттрибутҳои маҳсулот
Рақами Қисм :
CY7C1318BV18-200BZI
Истеҳсолкунанда :
Cypress Semiconductor Corp
Тавсифи :
IC SRAM 18M PARALLEL 165FBGA
Серияхо :
-
Статуси Қисми :
Obsolete
Намуди хотира :
Volatile
Формати хотира :
SRAM
Технология :
SRAM - Synchronous, DDR II
Андозаи хотира :
18Mb (1M x 18)
Фосилаи соат :
200MHz
Вақти давраро нависед - Калом, Саҳифа :
-
Вақти дастрасӣ :
-
Интерфейси хотира :
Parallel
Шиддат - Таъмин :
1.7V ~ 1.9V
Ҳарорати амалиётӣ :
-40°C ~ 85°C (TA)
Навъи монтаж :
Surface Mount
Бастаи / Парвандаи :
165-LBGA
Бастаи дастгоҳҳои таҳвилкунанда :
165-FBGA (13x15)
Охирин хабарҳо
Шояд шумо низ таваҷҷӯҳ зоҳир карда метавонед
-
-
-
-
IS42S32800J-6TL
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IC DRAM 256M PARALLEL 86TSOP II. DRAM 256M, 3.3V, SDRAM, 8Mx32, 166Mhz, 86 pin TSOP II RoHS
-
IS43R86400D-5TLI
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IC DRAM 512M PARALLEL 66TSOP II. DRAM 512M (64Mx8) 200MHz 2.5v DDR SDRAM
-
IS43R16320D-5TLI
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IC DRAM 512M PARALLEL 66TSOP II. DRAM 512M (32Mx16) 200MHz 2.5v DDR SDRAM
Қисмҳои гарм
- AT49BV802AT-70CI-T
- MT48H16M32L2F5-10
- AT25640AN-10SU-1.8
- AT93C56A-10TU-1.8
- AT49F002A-55PI
- AT45D161-RI
- AT28C010-12JI
- AT28BV64-30TC
- AT28HC256F-12SI
- QMP29GL064A90TFIR20H
- W25Q32FWBYIG TR
- 70V9279L15PRF8
- MT53D768M64D8RG-053 WT:D TR
- MT49H16M18CFM-33:B TR
- S25FL164K0XMFV001
- IS43LD16640A-3BLI-TR
- IS46TR16128AL-15HBLA2
- IS61LF51218A-7.5TQI-TR
- IS61QDB21M36-250M3
- CY7C1471V33-117AXC
- AT29LV040A-25TC
- AT29C040A-15TI
- M29W128GH7AZS6E
- MT29F2G16ABBEAHC-IT:E
- MT48H16M32LFCM-6 IT:B TR
- IDT71V416S15PH8
- 71342SA25J8
- IDT71024S12Y8
- IS42S16400F-6BLI
- CY7C1011DV33-10BVIT
- M25P16-VMN6P
- AT49BV002AN-70VI
- IS41LV16100B-60KL-TR
- CY62167DV18LL-55BVXI
- CY7C1387D-167AXC
- S25FS512SDSNFI011
- W631GG8MB15I
- S25FL064LABNFV011
- S29GL064N11FFIS10
- S29CD016J0MQFM113