Vishay Siliconix - SI1079X-T1-GE3

KEY Part #: K6421509

SI1079X-T1-GE3 Нархгузорӣ (доллари ИМА) [672864дона саҳҳомӣ]

  • 1 pcs$0.05497

Рақами Қисм:
SI1079X-T1-GE3
Истеҳсолкунанда:
Vishay Siliconix
Тавсифи муфассал:
MOSFET P-CH 30V 1.44A SC89-6.
Manufacturer's standard lead time:
Дар фурӯш
Муҳлати нигоҳдорӣ:
Як сол
Chip Аз:
Гонконг
RoHS:
Намуди пардохт:
Тарзи интиқол:
Категорияҳои оила:
KEY Component Co., LTD як дистрибютор оид ба қисматҳои электронӣ мебошад, ки категорияҳои маҳсулотро пешниҳод мекунад, аз ҷумла: Транзисторҳо - Биполяр (BJT) - Массаҳо, Диодҳо - RF, Диодҳо - Зенер - Массивҳо, Транзисторҳо - IGBTs - массивҳо, Диодҳо - Rectifiers - ягона, Тиристорҳо - SCRs - Модулҳо, Транзисторҳо - Биполярӣ (BJT) - Масрҳо, қабл аз ға and Тиристорҳо - DIACs, SIDACs ...
Афзалияти рақобатӣ:
We specialize in Vishay Siliconix SI1079X-T1-GE3 electronic components. SI1079X-T1-GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SI1079X-T1-GE3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SI1079X-T1-GE3 Аттрибутҳои маҳсулот

Рақами Қисм : SI1079X-T1-GE3
Истеҳсолкунанда : Vishay Siliconix
Тавсифи : MOSFET P-CH 30V 1.44A SC89-6
Серияхо : -
Статуси Қисми : Active
Навъи FET : P-Channel
Технология : MOSFET (Metal Oxide)
Холӣ кардани қувваи барқ ​​(Vdss) : 30V
Ҷараёни - Давршавии муттасил (Id) @ 25 ° C : 1.44A (Ta)
Радди барқ ​​(ҳадди аксар Rds, min Rds фаъол аст) : 2.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 100 mOhm @ 1.4A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 1.5V @ 250µA
Ҳаққи дарвоза (Qg) (Макс) @ Vgs : 26nC @ 10V
Vgs (Макс) : ±12V
Қобилияти воридшавӣ (Ciss) (Max) @ Vds : 750pF @ 15V
Хусусияти FET : -
Тақсимоти барқ ​​(Макс) : 330mW (Ta)
Ҳарорати амалиётӣ : -55°C ~ 150°C (TJ)
Навъи монтаж : Surface Mount
Бастаи дастгоҳҳои таҳвилкунанда : SC-89-6
Бастаи / Парвандаи : SOT-563, SOT-666

Шояд шумо низ таваҷҷӯҳ зоҳир карда метавонед