BYG10G-E3/TR Нархгузорӣ (доллари ИМА) [739474дона саҳҳомӣ]
- 1 pcs$0.05002
- 1,800 pcs$0.04701
- 3,600 pcs$0.04231
- 5,400 pcs$0.03996
- 12,600 pcs$0.03643
- 45,000 pcs$0.03408
- Рақами Қисм:
- BYG10G-E3/TR
- Истеҳсолкунанда:
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- Тавсифи муфассал:
- DIODE AVALANCHE 400V 1.5A. Rectifiers 1.5 Amp 400 Volt
- Manufacturer's standard lead time:
- Дар фурӯш
- Муҳлати нигоҳдорӣ:
- Як сол
- Chip Аз:
- Гонконг
- RoHS:
- Намуди пардохт:
-
- Тарзи интиқол:
- Категорияҳои оила:
- KEY Component Co., LTD як дистрибютор оид ба қисматҳои электронӣ мебошад, ки категорияҳои маҳсулотро пешниҳод мекунад, аз ҷумла: Транзисторҳо - JFETs, Транзисторҳо - Биполяр (BJT) - Массаҳо, Транзисторҳо - IGBTs - ягона, Тиристорҳо - DIACs, SIDACs, Тиристорҳо - SCRs, Диодҳо - Zener - Ягона, Тиристорҳо - TRIACs and Транзисторҳо - Биполярӣ (BJT) - Ягонагӣ, қабеҳ ...
- Афзалияти рақобатӣ:
- We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division BYG10G-E3/TR electronic components. BYG10G-E3/TR can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for BYG10G-E3/TR, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
BYG10G-E3/TR Аттрибутҳои маҳсулот
Рақами Қисм :
BYG10G-E3/TR
Истеҳсолкунанда :
Vishay Semiconductor Diodes Division
Тавсифи :
DIODE AVALANCHE 400V 1.5A
Серияхо :
-
Статуси Қисми :
Active
Навъи диод :
Avalanche
Қувват - баръакс DC (Vr) (Макс) :
400V
Ҷорӣ - Меъёрҳои ислоҳшуда (Io) :
1.5A
Шиддат - Ирсол (Vf) (Макс) @ Агар :
1.15V @ 1.5A
Суръат :
Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Вақти барқароркунӣ бо баръакс (трр) :
4µs
Ҷорӣ - Рафъшавии баръакс @ Vr :
1µA @ 400V
Иқтидори @ Vr, F :
-
Навъи монтаж :
Surface Mount
Бастаи / Парвандаи :
DO-214AC, SMA
Бастаи дастгоҳҳои таҳвилкунанда :
DO-214AC (SMA)
Ҳарорати амалиётӣ - Ягонагӣ :
-55°C ~ 150°C
Охирин хабарҳо
Шояд шумо низ таваҷҷӯҳ зоҳир карда метавонед
-
CSD01060E
Cree/Wolfspeed
DIODE SCHOTTKY 600V 1A TO252-2. Schottky Diodes & Rectifiers 1A 600V SIC SCHOTTKY DIODE
-
BAS19-TP
Micro Commercial Co
DIODE GEN PURP 100V 200MA SOT23. Diodes - General Purpose, Power, Switching 200mA 120V
-
BAS116E6327HTSA1
Infineon Technologies
DIODE GEN PURP 80V 250MA SOT23-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Low Leakage Diode
-
C3D10060G
Cree/Wolfspeed
DIODE SCHOTTKY 600V 10A TO263-2. Schottky Diodes & Rectifiers SIC SCHOTTKY DIODE 600V, 10A
-
VS-50WQ06FNHM3
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE SCHOTTKY 60V 5.5A TO252AA. Schottky Diodes & Rectifiers Schottky - D-PAK-e3
-
VS-30WQ06FNHM3
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE SCHOTTKY 60V 3.5A DPAK. Schottky Diodes & Rectifiers Schottky - D-PAK-e3
Қисмҳои гарм
- BAS16J/ZLF
- R7004203XXUA
- 1N4148 BK
- MBRH30040L
- VS-8ETX06STRLPBF
- 1N3292B
- V20100SHM3/4W
- RGP10D-M3/54
- RGP02-20E-M3/54
- RGP10AHM3/73
- SSB44HE3/52T
- RK 39
- CD214B-B230LF
- CD214B-B120LF
- CD214A-B220LF
- CDBMH2100-HF
- 1N3900R
- NSR05F30NRT5G
- UG5JT-E3/45
- FES16ATHE3/45
- DTV32F-E3/45
- 1N5401-AP
- SS3P6LHM3/86A
- SS2H9HE3/5BT
- S4PGHM3/87A
- 1N4002_NL
- UG2003-T
- SIDC32D170HX1SA3
- SIDC09D60E6YX1SA1
- JANTX1N6623
- STTA106U
- 1N5404RL
- MA2778400L
- IRKE166/14
- IRD3910R
- FR505-TP
- SE20DBHM3/I
- ES3B-M3/57T
- MUR315S M6G
- ES2A-M3/52T