Microsemi Corporation - APT45GP120J

KEY Part #: K6532673

APT45GP120J Нархгузорӣ (доллари ИМА) [2629дона саҳҳомӣ]

  • 1 pcs$16.55589
  • 13 pcs$16.47352

Рақами Қисм:
APT45GP120J
Истеҳсолкунанда:
Microsemi Corporation
Тавсифи муфассал:
IGBT 1200V 75A 329W SOT227.
Manufacturer's standard lead time:
Дар фурӯш
Муҳлати нигоҳдорӣ:
Як сол
Chip Аз:
Гонконг
RoHS:
Намуди пардохт:
Тарзи интиқол:
Категорияҳои оила:
KEY Component Co., LTD як дистрибютор оид ба қисматҳои электронӣ мебошад, ки категорияҳои маҳсулотро пешниҳод мекунад, аз ҷумла: Диодҳо - Rectifiers - Массаҳо, Транзисторҳо - IGBTs - Модулҳо, Диодҳо - Zener - Ягона, Диодҳо - Иқтидори тағйирёбанда (Варикапс, Варактор, Транзисторҳо - IGBTs - массивҳо, Транзисторҳо - ФЕТҳо, MOSFETҳо - Массивҳо, Транзисторҳо - IGBTs - ягона and Транзисторҳо - ФЕТҳо, MOSFETҳо - RF ...
Афзалияти рақобатӣ:
We specialize in Microsemi Corporation APT45GP120J electronic components. APT45GP120J can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for APT45GP120J, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

APT45GP120J Аттрибутҳои маҳсулот

Рақами Қисм : APT45GP120J
Истеҳсолкунанда : Microsemi Corporation
Тавсифи : IGBT 1200V 75A 329W SOT227
Серияхо : POWER MOS 7®
Статуси Қисми : Active
Намуди IGBT : PT
Танзимот : Single
Шиддат - Тақсими эмитентҳои коллекторӣ : 1200V
Ҷорӣ - Коллектор (Ic) (Макс) : 75A
Ҳокимият - Макс : 329W
Vce (дар) (Макс) @ Vge, Ic : 3.9V @ 15V, 45A
Ҷорӣ - Қатъи коллеҷ (Макс) : 500µA
Иқтидори воридотӣ (Cies) @ Vce : 3.94nF @ 25V
Ворид : Standard
NTC Термистор : No
Ҳарорати амалиётӣ : -55°C ~ 150°C (TJ)
Навъи монтаж : Chassis Mount
Бастаи / Парвандаи : ISOTOP
Бастаи дастгоҳҳои таҳвилкунанда : ISOTOP®

Шояд шумо низ таваҷҷӯҳ зоҳир карда метавонед
  • VS-ETF150Y65N

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT 650V 150A EMIPAK-2B.

  • CPV363M4K

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT SIP MODULE 600V 6A IMS-2.

  • CPV362M4K

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT SIP MODULE 600V 31 IMS-2.

  • CPV362M4U

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT SIP MODULE 600V 3.9A IMS-2.

  • CPV363M4U

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT SIP MODULE 600V 6.8A IMS-2.

  • A2C25S12M3-F

    STMicroelectronics

    IGBT TRENCH 1200V 25A ACEPACK2.