Рақами Қисм :
TK7A45DA(STA4,Q,M)
Истеҳсолкунанда :
Toshiba Semiconductor and Storage
Тавсифи :
MOSFET N-CH 450V 6.5A TO-220SIS
Технология :
MOSFET (Metal Oxide)
Холӣ кардани қувваи барқ (Vdss) :
450V
Ҷараёни - Давршавии муттасил (Id) @ 25 ° C :
6.5A (Ta)
Радди барқ (ҳадди аксар Rds, min Rds фаъол аст) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
1.2 Ohm @ 3.3A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4.4V @ 1mA
Ҳаққи дарвоза (Qg) (Макс) @ Vgs :
11nC @ 10V
Қобилияти воридшавӣ (Ciss) (Max) @ Vds :
540pF @ 25V
Тақсимоти барқ (Макс) :
35W (Tc)
Ҳарорати амалиётӣ :
150°C (TJ)
Навъи монтаж :
Through Hole
Бастаи дастгоҳҳои таҳвилкунанда :
TO-220SIS
Бастаи / Парвандаи :
TO-220-3 Full Pack