Рақами Қисм :
PMK50XP,518
Истеҳсолкунанда :
Nexperia USA Inc.
Тавсифи :
MOSFET P-CH 20V 7.9A 8-SOIC
Технология :
MOSFET (Metal Oxide)
Холӣ кардани қувваи барқ (Vdss) :
20V
Ҷараёни - Давршавии муттасил (Id) @ 25 ° C :
7.9A (Tc)
Радди барқ (ҳадди аксар Rds, min Rds фаъол аст) :
4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
50 mOhm @ 2.8A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id :
950mV @ 250µA
Ҳаққи дарвоза (Qg) (Макс) @ Vgs :
10nC @ 4.5V
Қобилияти воридшавӣ (Ciss) (Max) @ Vds :
1020pF @ 20V
Тақсимоти барқ (Макс) :
5W (Tc)
Ҳарорати амалиётӣ :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Навъи монтаж :
Surface Mount
Бастаи дастгоҳҳои таҳвилкунанда :
8-SO
Бастаи / Парвандаи :
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)