Истеҳсолкунанда :
GeneSiC Semiconductor
Тавсифи :
DIODE SCHOTTKY 650V 14.6A TO276
Навъи диод :
Silicon Carbide Schottky
Қувват - баръакс DC (Vr) (Макс) :
650V
Ҷорӣ - Меъёрҳои ислоҳшуда (Io) :
14.6A (DC)
Шиддат - Ирсол (Vf) (Макс) @ Агар :
1.5V @ 15A
Суръат :
No Recovery Time > 500mA (Io)
Вақти барқароркунӣ бо баръакс (трр) :
0ns
Ҷорӣ - Рафъшавии баръакс @ Vr :
5µA @ 650V
Иқтидори @ Vr, F :
1107pF @ 1V, 1MHz
Навъи монтаж :
Surface Mount
Бастаи / Парвандаи :
TO-276AA
Бастаи дастгоҳҳои таҳвилкунанда :
TO-276
Ҳарорати амалиётӣ - Ягонагӣ :
-55°C ~ 250°C