Истеҳсолкунанда :
Infineon Technologies
Тавсифи :
MOSFET P-CH 12V 8A 8-TSSOP
Технология :
MOSFET (Metal Oxide)
Холӣ кардани қувваи барқ (Vdss) :
12V
Ҷараёни - Давршавии муттасил (Id) @ 25 ° C :
8A (Tc)
Радди барқ (ҳадди аксар Rds, min Rds фаъол аст) :
1.8V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
14 mOhm @ 8A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id :
1.2V @ 250µA
Ҳаққи дарвоза (Qg) (Макс) @ Vgs :
81nC @ 4.5V
Қобилияти воридшавӣ (Ciss) (Max) @ Vds :
3470pF @ 10V
Тақсимоти барқ (Макс) :
1.5W (Tc)
Ҳарорати амалиётӣ :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Навъи монтаж :
Surface Mount
Бастаи дастгоҳҳои таҳвилкунанда :
8-TSSOP
Бастаи / Парвандаи :
8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)