IXYS - IXFH100N25P

KEY Part #: K6394764

IXFH100N25P Нархгузорӣ (доллари ИМА) [11910дона саҳҳомӣ]

  • 1 pcs$3.82521
  • 30 pcs$3.80618

Рақами Қисм:
IXFH100N25P
Истеҳсолкунанда:
IXYS
Тавсифи муфассал:
MOSFET N-CH 250V 100A TO-247.
Manufacturer's standard lead time:
Дар фурӯш
Муҳлати нигоҳдорӣ:
Як сол
Chip Аз:
Гонконг
RoHS:
Намуди пардохт:
Тарзи интиқол:
Категорияҳои оила:
KEY Component Co., LTD як дистрибютор оид ба қисматҳои электронӣ мебошад, ки категорияҳои маҳсулотро пешниҳод мекунад, аз ҷумла: Тиристорҳо - SCRs - Модулҳо, Транзисторҳо - IGBTs - Модулҳо, Транзисторҳо - Ҳадафи махсус, Транзисторҳо - ФЕТҳо, MOSFETҳо - Массивҳо, Транзисторҳо - IGBTs - массивҳо, Диодҳо - Зенер - Массивҳо, Диодҳо - RF and Транзисторҳо - Unijunction барномарезишуда ...
Афзалияти рақобатӣ:
We specialize in IXYS IXFH100N25P electronic components. IXFH100N25P can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IXFH100N25P, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IXFH100N25P Аттрибутҳои маҳсулот

Рақами Қисм : IXFH100N25P
Истеҳсолкунанда : IXYS
Тавсифи : MOSFET N-CH 250V 100A TO-247
Серияхо : PolarHT™ HiPerFET™
Статуси Қисми : Active
Навъи FET : N-Channel
Технология : MOSFET (Metal Oxide)
Холӣ кардани қувваи барқ ​​(Vdss) : 250V
Ҷараёни - Давршавии муттасил (Id) @ 25 ° C : 100A (Tc)
Радди барқ ​​(ҳадди аксар Rds, min Rds фаъол аст) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 27 mOhm @ 50A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 5V @ 4mA
Ҳаққи дарвоза (Qg) (Макс) @ Vgs : 185nC @ 10V
Vgs (Макс) : ±20V
Қобилияти воридшавӣ (Ciss) (Max) @ Vds : 6300pF @ 25V
Хусусияти FET : -
Тақсимоти барқ ​​(Макс) : 600W (Tc)
Ҳарорати амалиётӣ : -55°C ~ 150°C (TJ)
Навъи монтаж : Through Hole
Бастаи дастгоҳҳои таҳвилкунанда : TO-247AD
Бастаи / Парвандаи : TO-247-3

Шояд шумо низ таваҷҷӯҳ зоҳир карда метавонед