[671дона саҳҳомӣ]
- Рақами Қисм:
- MT46V64M4TG-5B:G TR
- Истеҳсолкунанда:
- Micron Technology Inc.
- Тавсифи муфассал:
- IC DRAM 256M PARALLEL 66TSOP.
- Manufacturer's standard lead time:
- Дар фурӯш
- Муҳлати нигоҳдорӣ:
- Як сол
- Chip Аз:
- Гонконг
- RoHS:
- Намуди пардохт:
-
- Тарзи интиқол:
- Категорияҳои оила:
- KEY Component Co., LTD як дистрибютор оид ба қисматҳои электронӣ мебошад, ки категорияҳои маҳсулотро пешниҳод мекунад, аз ҷумла: PMIC - Идоракунандагони барқ аз Ethernet (PoE), Ба даст овардани маълумот - Потенциометрҳои рақамӣ, Интерфейс - Васеъгарони I / O, PMIC - Ронандагони пурра, нимҷазиравӣ, PMIC - Танзими шиддат - Ҳадафи махсус, Хатӣ - Мултипликатори аналогӣ, тақсимкунандагон, Мантиқ - Хотираи FIFOs and Мантиқ - ҳисобкунакҳо, тақсимкунандагон ...
- Афзалияти рақобатӣ:
- We specialize in Micron Technology Inc. MT46V64M4TG-5B:G TR electronic components. MT46V64M4TG-5B:G TR can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for MT46V64M4TG-5B:G TR, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
MT46V64M4TG-5B:G TR Аттрибутҳои маҳсулот
Рақами Қисм :
MT46V64M4TG-5B:G TR
Истеҳсолкунанда :
Micron Technology Inc.
Тавсифи :
IC DRAM 256M PARALLEL 66TSOP
Серияхо :
-
Статуси Қисми :
Obsolete
Намуди хотира :
Volatile
Формати хотира :
DRAM
Технология :
SDRAM - DDR
Андозаи хотира :
256Mb (64M x 4)
Фосилаи соат :
200MHz
Вақти давраро нависед - Калом, Саҳифа :
15ns
Вақти дастрасӣ :
700ps
Интерфейси хотира :
Parallel
Шиддат - Таъмин :
2.5V ~ 2.7V
Ҳарорати амалиётӣ :
0°C ~ 70°C (TA)
Навъи монтаж :
Surface Mount
Бастаи / Парвандаи :
66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
Бастаи дастгоҳҳои таҳвилкунанда :
66-TSOP
Охирин хабарҳо
Шояд шумо низ таваҷҷӯҳ зоҳир карда метавонед
-
-
-
IS49RL18320-107EBL
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IC DRAM 576M PARALLEL 168BGA. DRAM RLDRAM3 Memory, 576M Common I/O, 933Mhz
-
IS49RL36160-107EBL
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IC DRAM 576M PARALLEL 168BGA. DRAM RLDRAM3 Memory, 576M Common I/O, 933Mhz
-
IS49RL18320-125EBLI
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IC DRAM 576M PARALLEL 168BGA. DRAM RLDRAM3 Memory, 576M Common I/O, 800Mhz
-
IS49RL36160-125EBLI
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IC DRAM 576M PARALLEL 168BGA. DRAM RLDRAM3 Memory, 576M Common I/O, 800Mhz
Қисмҳои гарм
- AT49BV802AT-70CI-T
- MT48H16M32L2F5-10
- AT25640AN-10SU-1.8
- AT93C56A-10TU-1.8
- AT49F002A-55PI
- AT45D161-RI
- AT28C010-12JI
- AT28BV64-30TC
- AT28HC256F-12SI
- QMP29GL064A90TFIR20H
- W25Q32FWBYIG TR
- 70V9279L15PRF8
- MT53D768M64D8RG-053 WT:D TR
- MT49H16M18CFM-33:B TR
- S25FL164K0XMFV001
- IS43LD16640A-3BLI-TR
- IS46TR16128AL-15HBLA2
- IS61LF51218A-7.5TQI-TR
- IS61QDB21M36-250M3
- CY7C1471V33-117AXC
- AT29LV040A-25TC
- AT29C040A-15TI
- M29W128GH7AZS6E
- MT29F2G16ABBEAHC-IT:E
- MT48H16M32LFCM-6 IT:B TR
- IDT71V416S15PH8
- 71342SA25J8
- IDT71024S12Y8
- IS42S16400F-6BLI
- CY7C1011DV33-10BVIT
- M25P16-VMN6P
- AT49BV002AN-70VI
- IS41LV16100B-60KL-TR
- CY62167DV18LL-55BVXI
- CY7C1387D-167AXC
- S25FS512SDSNFI011
- W631GG8MB15I
- S25FL064LABNFV011
- S29GL064N11FFIS10
- S29CD016J0MQFM113