Рақами Қисм :
SIR188DP-T1-RE3
Истеҳсолкунанда :
Vishay Siliconix
Тавсифи :
MOSFET N-CHAN 60V
Серияхо :
TrenchFET® Gen IV
Технология :
MOSFET (Metal Oxide)
Холӣ кардани қувваи барқ (Vdss) :
60V
Ҷараёни - Давршавии муттасил (Id) @ 25 ° C :
25.5A (Ta), 60A (Tc)
Радди барқ (ҳадди аксар Rds, min Rds фаъол аст) :
7.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
3.85 mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
3.6V @ 250µA
Ҳаққи дарвоза (Qg) (Макс) @ Vgs :
44nC @ 10V
Қобилияти воридшавӣ (Ciss) (Max) @ Vds :
1920pF @ 30V
Тақсимоти барқ (Макс) :
5W (Ta), 65.7W (Tc)
Ҳарорати амалиётӣ :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Навъи монтаж :
Surface Mount
Бастаи дастгоҳҳои таҳвилкунанда :
PowerPAK® SO-8
Бастаи / Парвандаи :
PowerPAK® SO-8