Агар макони шумо дар рӯйхат набошад, лутфан яке аз имконоти зеринро интихоб кунед:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski

Агар макони шумо дар рӯйхат набошад, лутфан яке аз имконоти зеринро интихоб кунед:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski
  1. Хона
  2. Маҳсулот
  3. Силсилаи интегралӣ (IC)
  4. Хотира
  5. TC58NVG2S0HTAI0

Toshiba Memory America, Inc. - TC58NVG2S0HTAI0

KEY Part #: K938183

TC58NVG2S0HTAI0 Нархгузорӣ (доллари ИМА) [19471дона саҳҳомӣ]

  • 1 pcs$2.35334
Рақами Қисм:
TC58NVG2S0HTAI0
Истеҳсолкунанда:
Toshiba Memory America, Inc.
Тавсифи муфассал:
IC FLASH 4G PARALLEL 48TSOP I. NAND Flash 3.3V 4Gb 24nm I-Temp SLC NAND (EEPROM)
Manufacturer's standard lead time:
Дар фурӯш
Муҳлати нигоҳдорӣ:
Як сол
Chip Аз:
Гонконг
RoHS:
Намуди пардохт:
Тарзи интиқол:
Категорияҳои оила:
KEY Component Co., LTD як дистрибютор оид ба қисматҳои электронӣ мебошад, ки категорияҳои маҳсулотро пешниҳод мекунад, аз ҷумла: Хотира - Батареяҳо, PMIC - Калидҳои тақсимоти барқ, драйверҳои боркаш, Интерфейс - Калидҳои аналогӣ, мултиплексорҳо, дему, PMIC - Табдилдиҳандаи AC DC, Гузаришҳои Offline, PMIC - Танзими шиддат - Идоракунандагони хаттӣ, Интерфейс - Модемҳо - IC ва модулҳо, Интерфейс - Телеком and PMIC - Назоратчиёни своп ...
Афзалияти рақобатӣ:
We specialize in Toshiba Memory America, Inc. TC58NVG2S0HTAI0 electronic components. TC58NVG2S0HTAI0 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for TC58NVG2S0HTAI0, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

TC58NVG2S0HTAI0 Аттрибутҳои маҳсулот

Рақами Қисм : TC58NVG2S0HTAI0
Истеҳсолкунанда : Toshiba Memory America, Inc.
Тавсифи : IC FLASH 4G PARALLEL 48TSOP I
Серияхо : -
Статуси Қисми : Active
Намуди хотира : Non-Volatile
Формати хотира : FLASH
Технология : FLASH - NAND (SLC)
Андозаи хотира : 4Gb (512M x 8)
Фосилаи соат : -
Вақти давраро нависед - Калом, Саҳифа : 25ns
Вақти дастрасӣ : 25ns
Интерфейси хотира : Parallel
Шиддат - Таъмин : 2.7V ~ 3.6V
Ҳарорати амалиётӣ : -40°C ~ 85°C (TA)
Навъи монтаж : Surface Mount
Бастаи / Парвандаи : 48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
Бастаи дастгоҳҳои таҳвилкунанда : 48-TSOP I

Охирин хабарҳо

Toshiba Memory THGAM e-MMC™ NAND Flash Memory
Toshiba Memory FlashAir™ W-04 Wireless SD Cards
Toshiba Memory THGAF Managed NAND Flash Memories
Шояд шумо низ таваҷҷӯҳ зоҳир карда метавонед
  • AT27C4096-90PU

    Microchip Technology

    IC EPROM 4M PARALLEL 40DIP. EPROM 4Mb (256Kx16) OTP 5V 90ns

  • 71V3576S150PFGI

    IDT, Integrated Device Technology Inc

    IC SRAM 4.5M PARALLEL 100TQFP.

  • 71V3577S75PFGI

    IDT, Integrated Device Technology Inc

    IC SRAM 4.5M PARALLEL 100TQFP. SRAM 4M 3.3V I/O PBSRAM SLOW X

  • W94AD2KBJX5I

    Winbond Electronics

    IC DRAM 1G PARALLEL 90VFBGA. DRAM 1G mDDR, x32, 200MHz, Ind temp

  • TC58BYG2S0HBAI4

    Toshiba Memory America, Inc.

    4GB SLC BENAND 24NM BGA 9X11 EE. NAND Flash 1.8V 4Gb 24nm SLC NAND (EEPROM)

  • TC58BVG2S0HBAI4

    Toshiba Memory America, Inc.

    IC FLASH 4G PARALLEL 63TFBGA. NAND Flash 3.3V 4Gb 24nm SLC NAND (EEPROM)

Қисмҳои гарм