ES3B M6G Нархгузорӣ (доллари ИМА) [838004дона саҳҳомӣ]
- 1 pcs$0.04414
- Рақами Қисм:
- ES3B M6G
- Истеҳсолкунанда:
- Taiwan Semiconductor Corporation
- Тавсифи муфассал:
- DIODE GEN PURP 100V 3A DO214AB.
- Manufacturer's standard lead time:
- Дар фурӯш
- Муҳлати нигоҳдорӣ:
- Як сол
- Chip Аз:
- Гонконг
- RoHS:
- Намуди пардохт:
-
- Тарзи интиқол:
- Категорияҳои оила:
- KEY Component Co., LTD як дистрибютор оид ба қисматҳои электронӣ мебошад, ки категорияҳои маҳсулотро пешниҳод мекунад, аз ҷумла: Тиристорҳо - SCRs, Транзисторҳо - Биполяр (BJT) - Массаҳо, Диодҳо - Зенер - Массивҳо, Тиристорҳо - TRIACs, Транзисторҳо - Биполярӣ (BJT) - Ягона, Диодҳо - Rectifiers - ягона, Транзисторҳо - ФЕТҳо, MOSFETҳо - RF and Тиристорҳо - SCRs - Модулҳо ...
- Афзалияти рақобатӣ:
- We specialize in Taiwan Semiconductor Corporation ES3B M6G electronic components. ES3B M6G can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for ES3B M6G, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
ES3B M6G Аттрибутҳои маҳсулот
Рақами Қисм :
ES3B M6G
Истеҳсолкунанда :
Taiwan Semiconductor Corporation
Тавсифи :
DIODE GEN PURP 100V 3A DO214AB
Серияхо :
-
Статуси Қисми :
Not For New Designs
Навъи диод :
Standard
Қувват - баръакс DC (Vr) (Макс) :
100V
Ҷорӣ - Меъёрҳои ислоҳшуда (Io) :
3A
Шиддат - Ирсол (Vf) (Макс) @ Агар :
950mV @ 3A
Суръат :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Вақти барқароркунӣ бо баръакс (трр) :
35ns
Ҷорӣ - Рафъшавии баръакс @ Vr :
10µA @ 100V
Иқтидори @ Vr, F :
45pF @ 4V, 1MHz
Навъи монтаж :
Surface Mount
Бастаи / Парвандаи :
DO-214AB, SMC
Бастаи дастгоҳҳои таҳвилкунанда :
DO-214AB (SMC)
Ҳарорати амалиётӣ - Ягонагӣ :
-55°C ~ 150°C
Охирин хабарҳо
Шояд шумо низ таваҷҷӯҳ зоҳир карда метавонед
-
BYM07-400-E3/83
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 400V 500MA DO213. Rectifiers 400 Volt 0.5A 50ns Glass Passivated
-
EGL34G-E3/83
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 400V 500MA DO213. Rectifiers 0.5Amp 400 Volt 50ns
-
GL34B-E3/83
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 100V 500MA DO213. Rectifiers 100 Volt 0.5 Amp 10 Amp IFSM
-
GL34G-E3/83
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 400V 500MA DO213. Rectifiers 400 Volt 0.5 Amp 10 Amp IFSM
-
GL34D-E3/83
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 200V 500MA DO213. Rectifiers 200 Volt 0.5 Amp 10 Amp IFSM
-
GL34J-E3/83
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 600V 500MA DO213. Rectifiers 600 Volt 0.5 Amp 10 Amp IFSM
Қисмҳои гарм
- CN646 BK
- IRD3CH53DB6
- VS-20MQ100NPBF
- 1N4002GPEHE3/91
- RS1PBHM3/85A
- VS-30WQ03FNPBF
- SK36/TR13
- CD214A-B130LLF
- VS-50WQ06FNPBF
- CDBA320L-G
- VS-80EPF12PBF
- 1N4551A
- C2D05120E
- RB520S-30FTE61
- MBRB735-E3/45
- VS-20ETF04STRRPBF
- 1N1616A
- APT15D30KG
- SDP06S60
- RGP20JHE3/73
- R6100625XXYZ
- R6100230XXYZ
- UG1002-T
- STTH5R06G
- MURA240T3
- VS-31DQ05TR
- NUR460/L02,112
- MUR1510H
- CTLSH1-50M832DS BK
- SF34-TP
- RL251M-TP
- R5000-TP
- FR1007-AP
- STPS30170DJF-TR
- ESH3C-E3/9AT
- RB053L-30TE25
- RU 1CV
- ES3B-E3/9AT
- IMBD4148-HE3-08
- LS4154GS18