Рақами Қисм :
ZXMP6A17N8TC
Истеҳсолкунанда :
Diodes Incorporated
Тавсифи :
MOSFET P-CH 60V 2.7A 8SO
Технология :
MOSFET (Metal Oxide)
Холӣ кардани қувваи барқ (Vdss) :
60V
Ҷараёни - Давршавии муттасил (Id) @ 25 ° C :
2.7A (Ta)
Радди барқ (ҳадди аксар Rds, min Rds фаъол аст) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
125 mOhm @ 2.3A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
1V @ 250µA
Ҳаққи дарвоза (Qg) (Макс) @ Vgs :
17.7nC @ 10V
Қобилияти воридшавӣ (Ciss) (Max) @ Vds :
637pF @ 30V
Тақсимоти барқ (Макс) :
1.56W (Ta)
Ҳарорати амалиётӣ :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Навъи монтаж :
Surface Mount
Бастаи дастгоҳҳои таҳвилкунанда :
8-SO
Бастаи / Парвандаи :
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)