RMLV0414EGSB-4S2#AA1 Нархгузорӣ (доллари ИМА) [16879дона саҳҳомӣ]
- 1 pcs$2.71471
- Рақами Қисм:
- RMLV0414EGSB-4S2#AA1
- Истеҳсолкунанда:
- Renesas Electronics America
- Тавсифи муфассал:
- IC SRAM 4M PARALLEL 44TSOP II. SRAM SRAM 4MB 3V X16 TSOP44 45NS -40TO85C
- Manufacturer's standard lead time:
- Дар фурӯш
- Муҳлати нигоҳдорӣ:
- Як сол
- Chip Аз:
- Гонконг
- RoHS:
- Намуди пардохт:
-
- Тарзи интиқол:
- Категорияҳои оила:
- KEY Component Co., LTD як дистрибютор оид ба қисматҳои электронӣ мебошад, ки категорияҳои маҳсулотро пешниҳод мекунад, аз ҷумла: PMIC - Назоратчиёни равшанӣ, балластӣ, Интерфейс - Терминаторҳои сигнал, Интерфейс - Модулҳо, PMIC - Танзими шиддат - Хатӣ + Гузариш, PMIC - Назоратчиёни своп, PMIC - Назоратчиёни таъминоти барқ, нозирон, PMIC - Ронандагони пурра, нимҷазиравӣ and Интерфейс - сенсорӣ, ламси ламсӣ ...
- Афзалияти рақобатӣ:
- We specialize in Renesas Electronics America RMLV0414EGSB-4S2#AA1 electronic components. RMLV0414EGSB-4S2#AA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for RMLV0414EGSB-4S2#AA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
RMLV0414EGSB-4S2#AA1 Аттрибутҳои маҳсулот
Рақами Қисм :
RMLV0414EGSB-4S2#AA1
Истеҳсолкунанда :
Renesas Electronics America
Тавсифи :
IC SRAM 4M PARALLEL 44TSOP II
Серияхо :
-
Статуси Қисми :
Active
Намуди хотира :
Volatile
Формати хотира :
SRAM
Технология :
SRAM
Андозаи хотира :
4Mb (256K x 16)
Фосилаи соат :
-
Вақти давраро нависед - Калом, Саҳифа :
45ns
Вақти дастрасӣ :
45ns
Интерфейси хотира :
Parallel
Шиддат - Таъмин :
2.7V ~ 3.6V
Ҳарорати амалиётӣ :
-40°C ~ 85°C (TA)
Навъи монтаж :
Surface Mount
Бастаи / Парвандаи :
44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
Бастаи дастгоҳҳои таҳвилкунанда :
44-TSOP II
Охирин хабарҳо
Шояд шумо низ таваҷҷӯҳ зоҳир карда метавонед
-
-
AT28BV256-20SU-T
Microchip Technology
IC EEPROM 256K PARALLEL 28SOIC. EEPROM 200NS, SOIC, IND TEMP, GREEN
-
AT28C256-15SU-T
Microchip Technology
IC EEPROM 256K PARALLEL 28SOIC. EEPROM 150NS, SOIC, IND TEMP, GREEN
-
TH58BYG2S3HBAI6
Toshiba Memory America, Inc.
IC FLASH 4G PARALLEL 67VFBGA. NAND Flash 1.8V 4Gb 24nm SLC NAND (EEPROM)
-
71321SA55JG8
IDT, Integrated Device Technology Inc
IC SRAM 16K PARALLEL 52PLCC. SRAM 2KX8 DUAL PORT MSTR W/INT
-
Қисмҳои гарм
- AT49BV802AT-70CI-T
- MT48H16M32L2F5-10
- AT25640AN-10SU-1.8
- AT93C56A-10TU-1.8
- AT49F002A-55PI
- AT45D161-RI
- AT28C010-12JI
- AT28BV64-30TC
- AT28HC256F-12SI
- QMP29GL064A90TFIR20H
- W25Q32FWBYIG TR
- 70V9279L15PRF8
- MT53D768M64D8RG-053 WT:D TR
- MT49H16M18CFM-33:B TR
- S25FL164K0XMFV001
- IS43LD16640A-3BLI-TR
- IS46TR16128AL-15HBLA2
- IS61LF51218A-7.5TQI-TR
- IS61QDB21M36-250M3
- CY7C1471V33-117AXC
- AT29LV040A-25TC
- AT29C040A-15TI
- M29W128GH7AZS6E
- MT29F2G16ABBEAHC-IT:E
- MT48H16M32LFCM-6 IT:B TR
- IDT71V416S15PH8
- 71342SA25J8
- IDT71024S12Y8
- IS42S16400F-6BLI
- CY7C1011DV33-10BVIT
- M25P16-VMN6P
- AT49BV002AN-70VI
- IS41LV16100B-60KL-TR
- CY62167DV18LL-55BVXI
- CY7C1387D-167AXC
- S25FS512SDSNFI011
- W631GG8MB15I
- S25FL064LABNFV011
- S29GL064N11FFIS10
- S29CD016J0MQFM113