Рақами Қисм :
SIHU2N80E-GE3
Истеҳсолкунанда :
Vishay Siliconix
Тавсифи :
MOSFET N-CH 800V 2.8A IPAK
Технология :
MOSFET (Metal Oxide)
Холӣ кардани қувваи барқ (Vdss) :
800V
Ҷараёни - Давршавии муттасил (Id) @ 25 ° C :
2.8A (Tc)
Радди барқ (ҳадди аксар Rds, min Rds фаъол аст) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
2.75 Ohm @ 1A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 250µA
Ҳаққи дарвоза (Qg) (Макс) @ Vgs :
19.6nC @ 10V
Қобилияти воридшавӣ (Ciss) (Max) @ Vds :
315pF @ 100V
Тақсимоти барқ (Макс) :
62.5W (Tc)
Ҳарорати амалиётӣ :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Навъи монтаж :
Through Hole
Бастаи дастгоҳҳои таҳвилкунанда :
IPAK (TO-251)
Бастаи / Парвандаи :
TO-251-3 Long Leads, IPak, TO-251AB