Рақами Қисм :
GSID150A120S6A4
Истеҳсолкунанда :
Global Power Technologies Group
Тавсифи :
SILICON IGBT MODULES
Шиддат - Тақсими эмитентҳои коллекторӣ :
1200V
Ҷорӣ - Коллектор (Ic) (Макс) :
275A
Vce (дар) (Макс) @ Vge, Ic :
1.9V @ 15V, 150A
Ҷорӣ - Қатъи коллеҷ (Макс) :
1mA
Иқтидори воридотӣ (Cies) @ Vce :
20.2nF @ 25V
Ҳарорати амалиётӣ :
-40°C ~ 150°C
Навъи монтаж :
Chassis Mount
Бастаи / Парвандаи :
Module
Бастаи дастгоҳҳои таҳвилкунанда :
Module