VS-ST173S10PFP1 Нархгузорӣ (доллари ИМА) [731дона саҳҳомӣ]
- 1 pcs$63.51274
- 12 pcs$60.48852
- Рақами Қисм:
- VS-ST173S10PFP1
- Истеҳсолкунанда:
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- Тавсифи муфассал:
- SCR 1000V 275A TO-93. SCRs Thyristors - TO-93 COMP RND-e3
- Manufacturer's standard lead time:
- Дар фурӯш
- Муҳлати нигоҳдорӣ:
- Як сол
- Chip Аз:
- Гонконг
- RoHS:
- Намуди пардохт:
-
- Тарзи интиқол:
- Категорияҳои оила:
- KEY Component Co., LTD як дистрибютор оид ба қисматҳои электронӣ мебошад, ки категорияҳои маҳсулотро пешниҳод мекунад, аз ҷумла: Транзисторҳо - JFETs, Тиристорҳо - DIACs, SIDACs, Транзисторҳо - Биполярӣ (BJT) - Масрҳо, қабл аз ға, Транзисторҳо - ФЕТҳо, MOSFETҳо - Массивҳо, Тиристорҳо - SCRs, Модулҳои драйвери барқ, Транзисторҳо - Биполярӣ (BJT) - Ягонагӣ, қабеҳ and Транзисторҳо - FETS, MOSFETҳо - ягона ...
- Афзалияти рақобатӣ:
- We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division VS-ST173S10PFP1 electronic components. VS-ST173S10PFP1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for VS-ST173S10PFP1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
VS-ST173S10PFP1 Аттрибутҳои маҳсулот
Рақами Қисм :
VS-ST173S10PFP1
Истеҳсолкунанда :
Vishay Semiconductor Diodes Division
Тавсифи :
SCR 1000V 275A TO-93
Серияхо :
-
Статуси Қисми :
Active
Шиддат - Хомӯшӣ :
1kV
Шиддат - Триггер дарвоза (Vgt) (Макс) :
3V
Айни замон - триггер дарвоза (Igt) (макс) :
200mA
Шиддат - Дар ҳолати (Втм) (Макс) :
2.07V
Ҷараёни - Дар бораи давлат (Он (AV)) (Макс) :
175A
Ҷорӣ - Дар бораи давлат (Он (RMS)) (Макс) :
275A
Айни замон - нигоҳ доред (Ih) (Макс) :
600mA
Ҳозир - Ҳолати хомӯш (Макс) :
40mA
Ҷараёни - Суръати бефосилаи 50, 60 Гц (Он) :
3940A, 4120A
Навъи SCR :
Standard Recovery
Ҳарорати амалиётӣ :
-40°C ~ 125°C
Навъи монтаж :
Chassis, Stud Mount
Бастаи / Парвандаи :
TO-209AB, TO-93-4, Stud
Бастаи дастгоҳҳои таҳвилкунанда :
TO-209AB (TO-93)
Охирин хабарҳо
Шояд шумо низ таваҷҷӯҳ зоҳир карда метавонед
-
BAS21E6433HTMA1
Infineon Technologies
DIODE GEN PURP 200V 250MA SOT23. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Switch Diode
-
BAS116E6433HTMA1
Infineon Technologies
DIODE GEN PURP 80V 250MA SOT23-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Low Leakage Diode
-
-
BAL99E6327HTSA1
Infineon Technologies
DIODE GEN PURP 80V 250MA SOT23-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Tuning Diode
-
BAL99E6433HTMA1
Infineon Technologies
DIODE GEN PURP 80V 250MA SOT23-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Tuning Diode
-
BAS16E6433HTMA1
Infineon Technologies
DIODE GEN PURP 80V 250MA SOT23-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Switch Diode
Қисмҳои гарм
- C702CB
- VS-ST083S12MFK2L
- VS-ST083S10PFP0
- T500067004AQ
- JANTX2N2328A
- CR8CM-12B#BH0
- CR6FM-12B#BH0
- BT145-800RTQ
- BT169HML
- CS220-16P
- CS220-25B
- JAN2N2325S
- 2N2324U4
- 2N2324A
- 2N685
- JANTX2N2329A
- T72H064564DN
- T72H0645B4DN
- T72H104524DN
- T72H044544DN
- T7SH104074DN
- T7SH1240B4DN
- T72H023544DN
- T72H0835B4DN
- NYC008-6JG
- NXL0840,412
- T510055004AQ
- MCR100-004
- TN805-600H
- S6008L58
- S6006F1
- S4008VS3
- S2006F1-TYPE41
- 16TTS12STRR
- S2006L
- JANTXV2N2325S
- 2N2323A
- VS-10TTS08STRRPBF
- BTW68-600RG
- X0205NA 1BA2