Рақами Қисм :
EPC2103ENGRT
Тавсифи :
GANFET TRANS SYM HALF BRDG 80V
Навъи FET :
2 N-Channel (Half Bridge)
Хусусияти FET :
GaNFET (Gallium Nitride)
Холӣ кардани қувваи барқ (Vdss) :
80V
Ҷараёни - Давршавии муттасил (Id) @ 25 ° C :
23A
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
5.5 mOhm @ 20A, 5V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.5V @ 7mA
Ҳаққи дарвоза (Qg) (Макс) @ Vgs :
6.5nC @ 5V
Қобилияти воридшавӣ (Ciss) (Max) @ Vds :
7600pF @ 40V
Навъи монтаж :
Surface Mount
Бастаи дастгоҳҳои таҳвилкунанда :
Die