Vishay Siliconix - SIB422EDK-T1-GE3

KEY Part #: K6421338

SIB422EDK-T1-GE3 Нархгузорӣ (доллари ИМА) [471021дона саҳҳомӣ]

  • 1 pcs$0.07853
  • 3,000 pcs$0.07418

Рақами Қисм:
SIB422EDK-T1-GE3
Истеҳсолкунанда:
Vishay Siliconix
Тавсифи муфассал:
MOSFET N-CH 20V 9A SC-75-6.
Manufacturer's standard lead time:
Дар фурӯш
Муҳлати нигоҳдорӣ:
Як сол
Chip Аз:
Гонконг
RoHS:
Намуди пардохт:
Тарзи интиқол:
Категорияҳои оила:
KEY Component Co., LTD як дистрибютор оид ба қисматҳои электронӣ мебошад, ки категорияҳои маҳсулотро пешниҳод мекунад, аз ҷумла: Диодҳо - Зенер - Массивҳо, Тиристорҳо - DIACs, SIDACs, Транзисторҳо - Биполярӣ (BJT) - RF, Транзисторҳо - Биполярӣ (BJT) - Ягонагӣ, қабеҳ, Тиристорҳо - TRIACs, Транзисторҳо - Биполярӣ (BJT) - Ягона, Тиристорҳо - SCRs and Транзисторҳо - IGBTs - Модулҳо ...
Афзалияти рақобатӣ:
We specialize in Vishay Siliconix SIB422EDK-T1-GE3 electronic components. SIB422EDK-T1-GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SIB422EDK-T1-GE3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SIB422EDK-T1-GE3 Аттрибутҳои маҳсулот

Рақами Қисм : SIB422EDK-T1-GE3
Истеҳсолкунанда : Vishay Siliconix
Тавсифи : MOSFET N-CH 20V 9A SC-75-6
Серияхо : TrenchFET®
Статуси Қисми : Active
Навъи FET : N-Channel
Технология : MOSFET (Metal Oxide)
Холӣ кардани қувваи барқ ​​(Vdss) : 20V
Ҷараёни - Давршавии муттасил (Id) @ 25 ° C : 9A (Tc)
Радди барқ ​​(ҳадди аксар Rds, min Rds фаъол аст) : 1.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 30 mOhm @ 5A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 1V @ 250µA
Ҳаққи дарвоза (Qg) (Макс) @ Vgs : 18nC @ 8V
Vgs (Макс) : ±8V
Қобилияти воридшавӣ (Ciss) (Max) @ Vds : -
Хусусияти FET : -
Тақсимоти барқ ​​(Макс) : 2.5W (Ta), 13W (Tc)
Ҳарорати амалиётӣ : -55°C ~ 150°C (TJ)
Навъи монтаж : Surface Mount
Бастаи дастгоҳҳои таҳвилкунанда : PowerPAK® SC-75-6L Single
Бастаи / Парвандаи : PowerPAK® SC-75-6L

Шояд шумо низ таваҷҷӯҳ зоҳир карда метавонед