Рақами Қисм :
PMN20EN,115
Истеҳсолкунанда :
NXP USA Inc.
Тавсифи :
MOSFET N-CH 30V 6TSOP
Технология :
MOSFET (Metal Oxide)
Холӣ кардани қувваи барқ (Vdss) :
30V
Ҷараёни - Давршавии муттасил (Id) @ 25 ° C :
6.7A (Tj)
Радди барқ (ҳадди аксар Rds, min Rds фаъол аст) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
20 mOhm @ 6.7A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.5V @ 250µA
Ҳаққи дарвоза (Qg) (Макс) @ Vgs :
18.6nC @ 10V
Қобилияти воридшавӣ (Ciss) (Max) @ Vds :
630pF @ 15V
Тақсимоти барқ (Макс) :
545mW (Ta)
Ҳарорати амалиётӣ :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Навъи монтаж :
Surface Mount
Бастаи дастгоҳҳои таҳвилкунанда :
6-TSOP
Бастаи / Парвандаи :
SC-74, SOT-457