Microsemi Corporation - APT18M100B

KEY Part #: K6395267

APT18M100B Нархгузорӣ (доллари ИМА) [8145дона саҳҳомӣ]

  • 1 pcs$5.56163
  • 10 pcs$5.00635
  • 100 pcs$4.11645
  • 500 pcs$3.44890

Рақами Қисм:
APT18M100B
Истеҳсолкунанда:
Microsemi Corporation
Тавсифи муфассал:
MOSFET N-CH 1000V 18A TO-247.
Manufacturer's standard lead time:
Дар фурӯш
Муҳлати нигоҳдорӣ:
Як сол
Chip Аз:
Гонконг
RoHS:
Намуди пардохт:
Тарзи интиқол:
Категорияҳои оила:
KEY Component Co., LTD як дистрибютор оид ба қисматҳои электронӣ мебошад, ки категорияҳои маҳсулотро пешниҳод мекунад, аз ҷумла: Модулҳои драйвери барқ, Тиристорҳо - SCRs, Транзисторҳо - Биполярӣ (BJT) - Масрҳо, қабл аз ға, Диодҳо - RF, Диодҳо - Zener - Ягона, Транзисторҳо - ФЕТҳо, MOSFETҳо - Массивҳо, Транзисторҳо - IGBTs - ягона and Транзисторҳо - ФЕТҳо, MOSFETҳо - RF ...
Афзалияти рақобатӣ:
We specialize in Microsemi Corporation APT18M100B electronic components. APT18M100B can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for APT18M100B, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

APT18M100B Аттрибутҳои маҳсулот

Рақами Қисм : APT18M100B
Истеҳсолкунанда : Microsemi Corporation
Тавсифи : MOSFET N-CH 1000V 18A TO-247
Серияхо : -
Статуси Қисми : Active
Навъи FET : N-Channel
Технология : MOSFET (Metal Oxide)
Холӣ кардани қувваи барқ ​​(Vdss) : 1000V
Ҷараёни - Давршавии муттасил (Id) @ 25 ° C : 18A (Tc)
Радди барқ ​​(ҳадди аксар Rds, min Rds фаъол аст) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 700 mOhm @ 9A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 5V @ 1mA
Ҳаққи дарвоза (Qg) (Макс) @ Vgs : 150nC @ 10V
Vgs (Макс) : ±30V
Қобилияти воридшавӣ (Ciss) (Max) @ Vds : 4845pF @ 25V
Хусусияти FET : -
Тақсимоти барқ ​​(Макс) : 625W (Tc)
Ҳарорати амалиётӣ : -55°C ~ 150°C (TJ)
Навъи монтаж : Through Hole
Бастаи дастгоҳҳои таҳвилкунанда : TO-247 [B]
Бастаи / Парвандаи : TO-247-3

Шояд шумо низ таваҷҷӯҳ зоҳир карда метавонед