Рақами Қисм :
ZXMN2A02X8TA
Истеҳсолкунанда :
Diodes Incorporated
Тавсифи :
MOSFET N-CH 20V 6.2A 8-MSOP
Технология :
MOSFET (Metal Oxide)
Холӣ кардани қувваи барқ (Vdss) :
20V
Ҷараёни - Давршавии муттасил (Id) @ 25 ° C :
6.2A (Ta)
Радди барқ (ҳадди аксар Rds, min Rds фаъол аст) :
2.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
20 mOhm @ 11A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id :
700mV @ 250µA
Ҳаққи дарвоза (Qg) (Макс) @ Vgs :
18.6nC @ 4.5V
Қобилияти воридшавӣ (Ciss) (Max) @ Vds :
1900pF @ 10V
Тақсимоти барқ (Макс) :
1.1W (Ta)
Ҳарорати амалиётӣ :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Навъи монтаж :
Surface Mount
Бастаи дастгоҳҳои таҳвилкунанда :
8-MSOP
Бастаи / Парвандаи :
8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)