Рақами Қисм :
EPC2049ENGRT
Тавсифи :
GANFET TRANS 40V BUMPED DIE
Технология :
GaNFET (Gallium Nitride)
Холӣ кардани қувваи барқ (Vdss) :
40V
Ҷараёни - Давршавии муттасил (Id) @ 25 ° C :
16A (Ta)
Радди барқ (ҳадди аксар Rds, min Rds фаъол аст) :
5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
5 mOhm @ 15A, 5V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.5V @ 6mA
Ҳаққи дарвоза (Qg) (Макс) @ Vgs :
7.6nC @ 5V
Қобилияти воридшавӣ (Ciss) (Max) @ Vds :
805pF @ 20V
Тақсимоти барқ (Макс) :
-
Ҳарорати амалиётӣ :
-40°C ~ 150°C (TJ)
Навъи монтаж :
Surface Mount
Бастаи дастгоҳҳои таҳвилкунанда :
Die