Рақами Қисм :
MBR40035CTL
Истеҳсолкунанда :
GeneSiC Semiconductor
Тавсифи :
DIODE SCHOTTKY 35V 200A 2 TOWER
Танзимоти диод :
1 Pair Common Cathode
Қувват - баръакс DC (Vr) (Макс) :
35V
Ҷорӣ - Меъёрҳои ислоҳшуда (Io) (ба ҳар як диод) :
200A
Шиддат - Ирсол (Vf) (Макс) @ Агар :
600mV @ 200A
Суръат :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Вақти барқароркунӣ бо баръакс (трр) :
-
Ҷорӣ - Рафъшавии баръакс @ Vr :
3mA @ 35V
Ҳарорати амалиётӣ - Ягонагӣ :
-55°C ~ 150°C
Навъи монтаж :
Chassis Mount
Бастаи / Парвандаи :
Twin Tower
Бастаи дастгоҳҳои таҳвилкунанда :
Twin Tower