IXYS - T-TD1R4N60P 11

KEY Part #: K6400921

[3230дона саҳҳомӣ]

Рақами Қисм:: T-TD1R4N60P 11

Истеҳсолкунанда:: IXYS

Тавсифи муфассал:: MOSFET N-CH 600V.

Manufacturer's standard lead time:: Дар фурӯш

Муҳлати нигоҳдорӣ:: Як сол

Chip Аз:: Гонконг

RoHS:

Намуди пардохт:

Тарзи интиқол:

Категорияҳои оила:: KEY Component Co., LTD як дистрибютор оид ба қисматҳои электронӣ мебошад, ки категорияҳои маҳсулотро пешниҳод мекунад, аз ҷумла: Транзисторҳо - Биполярӣ (BJT) - Ягонагӣ, қабеҳ, Тиристорҳо - DIACs, SIDACs, Диодҳо - Иқтидори тағйирёбанда (Варикапс, Варактор, Диодҳо - RF, Диодҳо - Zener - Ягона, Транзисторҳо - Биполяр (BJT) - Массаҳо, Транзисторҳо - Биполярӣ (BJT) - Масрҳо, қабл аз ға and Транзисторҳо - Unijunction барномарезишуда ...

Афзалияти рақобатӣ:: We specialize in IXYS T-TD1R4N60P 11 electronic components. T-TD1R4N60P 11 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for T-TD1R4N60P 11, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com

GB-T-27922

ISO-9001-2015

ISO-13485

ISO-14001

ISO-28000-2007

ISO-45001-2018

T-TD1R4N60P 11 Аттрибутҳои маҳсулот

Рақами Қисм : T-TD1R4N60P 11

Истеҳсолкунанда : IXYS

Тавсифи : MOSFET N-CH 600V

Серияхо : -

Статуси Қисми : Obsolete

Навъи FET : -

Технология : -

Холӣ кардани қувваи барқ (Vdss) : -

Ҷараёни - Давршавии муттасил (Id) @ 25 ° C : -

Радди барқ (ҳадди аксар Rds, min Rds фаъол аст) : -

Rds On (Max) @ Id, Vgs : -

Vgs (th) (Max) @ Id : -

Ҳаққи дарвоза (Qg) (Макс) @ Vgs : -

Vgs (Макс) : -

Қобилияти воридшавӣ (Ciss) (Max) @ Vds : -

Хусусияти FET : -

Тақсимоти барқ (Макс) : -

Ҳарорати амалиётӣ : -

Навъи монтаж : -

Бастаи дастгоҳҳои таҳвилкунанда : -

Бастаи / Парвандаи : -

Охирин хабарҳо

IXYS CPC2907B 60V Solid State Relay

IXYS X4-Class 135V-150V Power MOSFETs

IXYS Integrated Circuits CPC1705Y Solid State Relay

IXYS X2-Class 650V-700V Power MOSFETs with HiPerFET™

IXYS BiMOSFET 3000V Surface Mount Power Device Packages

IXYS Integrated Circuits PLB171 OptoMOS® Relay

IXYS IXRFSMPD N-Channel Enhancement Mode MOSFETs

IXYS 1700V XPT™ High Voltage IGBTs

IXYS IXIDM1401 IGBT Driver Module

IXYS Integrated Circuits NCD1015ZP Half Duplex RFID Transponder

IXYS MDMA900U1600PTEH 1600V 3-Phase Rectifier Module

IXYS 60V TrenchT3 HiPerFET Power MOSFETs

Шояд шумо низ таваҷҷӯҳ зоҳир карда метавонед

IRLR2905ZPBF

Infineon Technologies

MOSFET N-CH 55V 42A DPAK.
IXTY1R4N60P TRL

IXYS

MOSFET N-CH 600V 1.4A D-PAK.
FDD8444-F085P

ON Semiconductor

NMOS DPAK 40V 5.2 MOHM.
FDD4243-F085P

ON Semiconductor

PMOS DPAK 40V 44 MOHM.
SPB02N60S5ATMA1

Infineon Technologies

MOSFET N-CH 600V 1.8A TO-263.
SPB42N03S2L-13

Infineon Technologies

MOSFET N-CH 30V 42A D2PAK.

English Тоҷикӣ