TH58NVG2S3HTA00 Нархгузорӣ (доллари ИМА) [16879дона саҳҳомӣ]
- 1 pcs$2.25638
- 10 pcs$2.04661
- 25 pcs$2.00236
- 50 pcs$1.99126
- Рақами Қисм:
- TH58NVG2S3HTA00
- Истеҳсолкунанда:
- Toshiba Memory America, Inc.
- Тавсифи муфассал:
- IC FLASH 4G PARALLEL 48TSOP I. NAND Flash 4Gb 24nm SLC NAND (EEPROM)
- Manufacturer's standard lead time:
- Дар фурӯш
- Муҳлати нигоҳдорӣ:
- Як сол
- Chip Аз:
- Гонконг
- RoHS:
- Намуди пардохт:
-
- Тарзи интиқол:
- Категорияҳои оила:
- KEY Component Co., LTD як дистрибютор оид ба қисматҳои электронӣ мебошад, ки категорияҳои маҳсулотро пешниҳод мекунад, аз ҷумла: Соат / Вақт - мушаххасоти барнома, Мантиқ - флип-Flops, Хотира - Батареяҳо, Соат / Вақт - хатҳои таъхир, Интерфейс - интерфейсҳои сенсор ва детектор, PMIC - Назоратчиёни таъминоти барқ, нозирон, Соат / Вақт - Батареяҳои IC and PMIC - Ронандагони лазерӣ ...
- Афзалияти рақобатӣ:
- We specialize in Toshiba Memory America, Inc. TH58NVG2S3HTA00 electronic components. TH58NVG2S3HTA00 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for TH58NVG2S3HTA00, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
TH58NVG2S3HTA00 Аттрибутҳои маҳсулот
Рақами Қисм :
TH58NVG2S3HTA00
Истеҳсолкунанда :
Toshiba Memory America, Inc.
Тавсифи :
IC FLASH 4G PARALLEL 48TSOP I
Серияхо :
-
Статуси Қисми :
Active
Намуди хотира :
Non-Volatile
Формати хотира :
FLASH
Технология :
FLASH - NAND (SLC)
Андозаи хотира :
4Gb (512M x 8)
Фосилаи соат :
-
Вақти давраро нависед - Калом, Саҳифа :
25ns
Вақти дастрасӣ :
25ns
Интерфейси хотира :
Parallel
Шиддат - Таъмин :
2.7V ~ 3.6V
Ҳарорати амалиётӣ :
0°C ~ 70°C (TA)
Навъи монтаж :
Surface Mount
Бастаи / Парвандаи :
48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
Бастаи дастгоҳҳои таҳвилкунанда :
48-TSOP I
Охирин хабарҳо
Шояд шумо низ таваҷҷӯҳ зоҳир карда метавонед
-
-
AT28BV256-20SU-T
Microchip Technology
IC EEPROM 256K PARALLEL 28SOIC. EEPROM 200NS, SOIC, IND TEMP, GREEN
-
AT28C256-15SU-T
Microchip Technology
IC EEPROM 256K PARALLEL 28SOIC. EEPROM 150NS, SOIC, IND TEMP, GREEN
-
TH58BYG2S3HBAI6
Toshiba Memory America, Inc.
IC FLASH 4G PARALLEL 67VFBGA. NAND Flash 1.8V 4Gb 24nm SLC NAND (EEPROM)
-
71321SA55JG8
IDT, Integrated Device Technology Inc
IC SRAM 16K PARALLEL 52PLCC. SRAM 2KX8 DUAL PORT MSTR W/INT
-
Қисмҳои гарм
- W25P40VSNIG
- MT28F008B3VG-9 TET TR
- AT49LV001-12JI
- AT49F001-70PC
- AT49BV001T-12TI
- AT45D021-TI
- AT28C16E-20PC
- AT27LV020A-15JI
- AT27C4096-90VC
- AT27C020-70TC
- AT27C010L-45PI
- AT29LV1024-15JC
- AT24C02-10PI-2.7
- S29WS128N0SBAW013
- IS61LPS102418A-250B3I
- MT25QL256ABA8ESF-0AAT
- MT53D768M64D8NZ-046 WT ES:E
- EDF8132A3MA-GD-F-R TR
- MT29F128G08AUCBBH3-12IT:B TR
- S34ML04G200BHV003
- S34ML04G100BHB000
- W29GL256SH9T
- AS7C31026C-10BINTR
- IS42S16320B-6BLI
- IS42S16800E-7TL-TR
- MT29F128G08CFAABWP-12Z:A TR
- AS7C31025C-10TJIN
- S29PL064J70BFW120
- N2M400GDB321A3CE
- CY62147EV30LL-45ZSXA
- IDT71V3579S80PF
- IDT71V2556S166PFI8
- 71321SA25J
- IDT70824S25PF8
- JS28F256P33TFA
- BQ4015YMA-85
- IS42S16160B-7TLI-TR
- S29CD016J0MDGH014
- W978H2KBVX2E
- BR24C04-DS6TP