Рақами Қисм :
IPC60N04S406ATMA1
Истеҳсолкунанда :
Infineon Technologies
Тавсифи :
MOSFET N-CH 8TDSON
Серияхо :
Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
Технология :
MOSFET (Metal Oxide)
Холӣ кардани қувваи барқ (Vdss) :
40V
Ҷараёни - Давршавии муттасил (Id) @ 25 ° C :
60A (Tc)
Радди барқ (ҳадди аксар Rds, min Rds фаъол аст) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
6 mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 30µA
Ҳаққи дарвоза (Qg) (Макс) @ Vgs :
33nC @ 10V
Қобилияти воридшавӣ (Ciss) (Max) @ Vds :
2650pF @ 25V
Тақсимоти барқ (Макс) :
63W (Tc)
Ҳарорати амалиётӣ :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Навъи монтаж :
Surface Mount
Бастаи дастгоҳҳои таҳвилкунанда :
PG-TDSON-8-23
Бастаи / Парвандаи :
8-PowerVDFN