Истеҳсолкунанда :
Toshiba Semiconductor and Storage
Тавсифи :
TRANS PREBIAS NPN 0.1W USM
Навъи транзистор :
NPN - Pre-Biased
Ҷорӣ - Коллектор (Ic) (Макс) :
100mA
Шиддат - Тақсими эмитентҳои коллекторӣ :
50V
Муқовимат - Пойгоҳи (R1) :
4.7 kOhms
Муқовимат - Пойгоҳи эмитент (R2) :
4.7 kOhms
DC ҷорӣ фоида (hFE) (Мин) @ Ic, Vce :
30 @ 10mA, 5V
Ҷойгиркунии Vce (Max) @ Ib, Ic :
300mV @ 250µA, 5mA
Ҷорӣ - Қатъи коллеҷ (Макс) :
500nA
Фосила - гузариш :
250MHz
Навъи монтаж :
Surface Mount
Бастаи / Парвандаи :
SC-70, SOT-323
Бастаи дастгоҳҳои таҳвилкунанда :
USM