Рақами Қисм :
SIHG47N60E-E3
Истеҳсолкунанда :
Vishay Siliconix
Тавсифи :
MOSFET N-CH 600V 47A TO247AC
Статуси Қисми :
Not For New Designs
Технология :
MOSFET (Metal Oxide)
Холӣ кардани қувваи барқ (Vdss) :
600V
Ҷараёни - Давршавии муттасил (Id) @ 25 ° C :
47A (Tc)
Радди барқ (ҳадди аксар Rds, min Rds фаъол аст) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
64 mOhm @ 24A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 250µA
Ҳаққи дарвоза (Qg) (Макс) @ Vgs :
220nC @ 10V
Қобилияти воридшавӣ (Ciss) (Max) @ Vds :
9620pF @ 100V
Тақсимоти барқ (Макс) :
357W (Tc)
Ҳарорати амалиётӣ :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Навъи монтаж :
Through Hole
Бастаи дастгоҳҳои таҳвилкунанда :
TO-247AC
Бастаи / Парвандаи :
TO-247-3