GeneSiC Semiconductor - GA03JT12-247

KEY Part #: K6404199

Категорияҳои оила:: KEY Component Co., LTD як дистрибютор оид ба қисматҳои электронӣ мебошад, ки категорияҳои маҳсулотро пешниҳод мекунад, аз ҷумла: Диодҳо - Rectifiers - Массаҳо, Транзисторҳо - IGBTs - Модулҳо, Транзисторҳо - Биполярӣ (BJT) - Ягона, Тиристорҳо - SCRs - Модулҳо, Тиристорҳо - DIACs, SIDACs, Транзисторҳо - Ҳадафи махсус, Диодҳо - Rectifiers - ягона and Транзисторҳо - Unijunction барномарезишуда ...

Афзалияти рақобатӣ:: We specialize in GeneSiC Semiconductor GA03JT12-247 electronic components. GA03JT12-247 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for GA03JT12-247, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com

Рақами Қисм : GA03JT12-247

Истеҳсолкунанда : GeneSiC Semiconductor

Тавсифи : TRANS SJT 1200V 3A TO-247AB

Серияхо : -

Статуси Қисми : Obsolete

Навъи FET : -

Технология : SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)

Холӣ кардани қувваи барқ (Vdss) : 1200V

Ҷараёни - Давршавии муттасил (Id) @ 25 ° C : 3A (Tc) (95°C)

Радди барқ (ҳадди аксар Rds, min Rds фаъол аст) : -

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 460 mOhm @ 3A

Vgs (th) (Max) @ Id : -

Ҳаққи дарвоза (Qg) (Макс) @ Vgs : -

Vgs (Макс) : -

Қобилияти воридшавӣ (Ciss) (Max) @ Vds : -

Хусусияти FET : -

Тақсимоти барқ (Макс) : 15W (Tc)

Ҳарорати амалиётӣ : 175°C (TJ)

Навъи монтаж : Through Hole

Бастаи дастгоҳҳои таҳвилкунанда : TO-247AB

Бастаи / Парвандаи : TO-247-3

Шояд шумо низ таваҷҷӯҳ зоҳир карда метавонед

AUIRLR024Z

Infineon Technologies

MOSFET N CH 55V 16A DPAK.
AUIRFR4292

Infineon Technologies

MOSFET N CH 250V 9.3A DPAK.
IRFR7440PBF

Infineon Technologies

MOSFET N CH 40V 90A DPAK.
TK16A60W5,S4VX

Toshiba Semiconductor and Storage

MOSFET N CH 600V 15.8A TO-220SIS.
IPA50R380CE

Infineon Technologies

MOSFET N-CH 500V 9.9A TO220FP.
IPA50R190CE

Infineon Technologies

MOSFET N-CH 500V 18.5A TO220FP.