Рақами Қисм :
BSS169 E6327
Истеҳсолкунанда :
Infineon Technologies
Тавсифи :
MOSFET N-CH 100V 170MA SOT-23
Технология :
MOSFET (Metal Oxide)
Холӣ кардани қувваи барқ (Vdss) :
100V
Ҷараёни - Давршавии муттасил (Id) @ 25 ° C :
170mA (Ta)
Радди барқ (ҳадди аксар Rds, min Rds фаъол аст) :
0V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
6 Ohm @ 170mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
1.8V @ 50µA
Ҳаққи дарвоза (Qg) (Макс) @ Vgs :
2.8nC @ 7V
Қобилияти воридшавӣ (Ciss) (Max) @ Vds :
68pF @ 25V
Хусусияти FET :
Depletion Mode
Тақсимоти барқ (Макс) :
360mW (Ta)
Ҳарорати амалиётӣ :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Навъи монтаж :
Surface Mount
Бастаи дастгоҳҳои таҳвилкунанда :
SOT-23-3
Бастаи / Парвандаи :
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3