Microsemi Corporation - 1N5916A

KEY Part #: K6479732

Категорияҳои оила:: KEY Component Co., LTD як дистрибютор оид ба қисматҳои электронӣ мебошад, ки категорияҳои маҳсулотро пешниҳод мекунад, аз ҷумла: Транзисторҳо - FETS, MOSFETҳо - ягона, Транзисторҳо - ФЕТҳо, MOSFETҳо - Массивҳо, Диодҳо - Rectifiers Bridge, Транзисторҳо - JFETs, Транзисторҳо - Биполярӣ (BJT) - RF, Транзисторҳо - Ҳадафи махсус, Транзисторҳо - Биполярӣ (BJT) - Масрҳо, қабл аз ға and Диодҳо - Rectifiers - ягона ...

Афзалияти рақобатӣ:: We specialize in Microsemi Corporation 1N5916A electronic components. 1N5916A can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for 1N5916A, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com

Рақами Қисм : 1N5916A

Истеҳсолкунанда : Microsemi Corporation

Тавсифи : ZENER DIODE

Серияхо : *

Статуси Қисми : Active

Шиддат - Зенер (Ном) (Вз) : -

Таҳаммулпазирӣ : -

Ҳокимият - Макс : -

Импеданс (Макс) (Zzt) : -

Ҷорӣ - Рафъшавии баръакс @ Vr : -

Шиддат - Ирсол (Vf) (Макс) @ Агар : -

Ҳарорати амалиётӣ : -

Навъи монтаж : -

Бастаи / Парвандаи : -

Бастаи дастгоҳҳои таҳвилкунанда : -

Шояд шумо низ таваҷҷӯҳ зоҳир карда метавонед

BAW156E6327HTSA1

Infineon Technologies

DIODE ARRAY GP 80V 200MA SOT23. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Low Leakage Diode
MMBD1705A

ON Semiconductor

DIODE ARRAY GP 30V 50MA SOT23-3.
SMBD7000E6327HTSA1

Infineon Technologies

DIODE ARRAY GP 100V 200MA SOT23. Diodes - General Purpose, Power, Switching AF DIODE 100V 0.2A
1SS181,LF

Toshiba Semiconductor and Storage

DIODE ARRAY GP 80V 100MA SC59. Diodes - General Purpose, Power, Switching Hi Spd Switch Diode 0.1A 80V VR
BAV170E6433HTMA1

Infineon Technologies

DIODE ARRAY GP 80V 200MA SOT23. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Low Leakage Diode Array
BAV70E6433HTMA1

Infineon Technologies

DIODE ARRAY GP 80V 200MA SOT23. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Switch Diode 200mA

Қисмҳои гарм