IXYS - IXTM35N30

KEY Part #: K6400887

[3241дона саҳҳомӣ]


    Рақами Қисм:
    IXTM35N30
    Истеҳсолкунанда:
    IXYS
    Тавсифи муфассал:
    POWER MOSFET TO-3.
    Manufacturer's standard lead time:
    Дар фурӯш
    Муҳлати нигоҳдорӣ:
    Як сол
    Chip Аз:
    Гонконг
    RoHS:
    Намуди пардохт:
    Тарзи интиқол:
    Категорияҳои оила:
    KEY Component Co., LTD як дистрибютор оид ба қисматҳои электронӣ мебошад, ки категорияҳои маҳсулотро пешниҳод мекунад, аз ҷумла: Модулҳои драйвери барқ, Диодҳо - Иқтидори тағйирёбанда (Варикапс, Варактор, Диодҳо - Rectifiers - ягона, Транзисторҳо - Биполярӣ (BJT) - Ягонагӣ, қабеҳ, Транзисторҳо - ФЕТҳо, MOSFETҳо - Массивҳо, Диодҳо - Зенер - Массивҳо, Транзисторҳо - Биполяр (BJT) - Массаҳо and Тиристорҳо - SCRs ...
    Афзалияти рақобатӣ:
    We specialize in IXYS IXTM35N30 electronic components. IXTM35N30 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IXTM35N30, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    IXTM35N30 Аттрибутҳои маҳсулот

    Рақами Қисм : IXTM35N30
    Истеҳсолкунанда : IXYS
    Тавсифи : POWER MOSFET TO-3
    Серияхо : GigaMOS™
    Статуси Қисми : Last Time Buy
    Навъи FET : N-Channel
    Технология : MOSFET (Metal Oxide)
    Холӣ кардани қувваи барқ ​​(Vdss) : 300V
    Ҷараёни - Давршавии муттасил (Id) @ 25 ° C : 35A (Tc)
    Радди барқ ​​(ҳадди аксар Rds, min Rds фаъол аст) : 10V
    Rds On (Max) @ Id, Vgs : 100 mOhm @ 17.5A, 10V
    Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA
    Ҳаққи дарвоза (Qg) (Макс) @ Vgs : 220nC @ 10V
    Vgs (Макс) : ±20V
    Қобилияти воридшавӣ (Ciss) (Max) @ Vds : 4600pF @ 25V
    Хусусияти FET : -
    Тақсимоти барқ ​​(Макс) : 300W (Tc)
    Ҳарорати амалиётӣ : -55°C ~ 150°C (TJ)
    Навъи монтаж : Through Hole
    Бастаи дастгоҳҳои таҳвилкунанда : TO-204AE
    Бастаи / Парвандаи : TO-204AE

    Шояд шумо низ таваҷҷӯҳ зоҳир карда метавонед
    • IRLR2905ZPBF

      Infineon Technologies

      MOSFET N-CH 55V 42A DPAK.

    • IXTY1R4N60P TRL

      IXYS

      MOSFET N-CH 600V 1.4A D-PAK.

    • FDD8444-F085P

      ON Semiconductor

      NMOS DPAK 40V 5.2 MOHM.

    • FDD4243-F085P

      ON Semiconductor

      PMOS DPAK 40V 44 MOHM.

    • 2SK3045

      Panasonic Electronic Components

      MOSFET N-CH 500V 2.5A TO-220D.

    • IPB04N03LA

      Infineon Technologies

      MOSFET N-CH 25V 80A D2PAK.