IXYS - IXFT18N100Q3

KEY Part #: K6394663

IXFT18N100Q3 Нархгузорӣ (доллари ИМА) [7060дона саҳҳомӣ]

  • 1 pcs$6.74670
  • 90 pcs$6.71313

Рақами Қисм:
IXFT18N100Q3
Истеҳсолкунанда:
IXYS
Тавсифи муфассал:
MOSFET N-CH 1000V 18A TO-268.
Manufacturer's standard lead time:
Дар фурӯш
Муҳлати нигоҳдорӣ:
Як сол
Chip Аз:
Гонконг
RoHS:
Намуди пардохт:
Тарзи интиқол:
Категорияҳои оила:
KEY Component Co., LTD як дистрибютор оид ба қисматҳои электронӣ мебошад, ки категорияҳои маҳсулотро пешниҳод мекунад, аз ҷумла: Модулҳои драйвери барқ, Диодҳо - Zener - Ягона, Транзисторҳо - JFETs, Транзисторҳо - Биполярӣ (BJT) - Масрҳо, қабл аз ға, Транзисторҳо - Unijunction барномарезишуда, Транзисторҳо - Биполярӣ (BJT) - Ягонагӣ, қабеҳ, Диодҳо - Иқтидори тағйирёбанда (Варикапс, Варактор and Транзисторҳо - Биполярӣ (BJT) - Ягона ...
Афзалияти рақобатӣ:
We specialize in IXYS IXFT18N100Q3 electronic components. IXFT18N100Q3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IXFT18N100Q3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IXFT18N100Q3 Аттрибутҳои маҳсулот

Рақами Қисм : IXFT18N100Q3
Истеҳсолкунанда : IXYS
Тавсифи : MOSFET N-CH 1000V 18A TO-268
Серияхо : HiPerFET™
Статуси Қисми : Active
Навъи FET : N-Channel
Технология : MOSFET (Metal Oxide)
Холӣ кардани қувваи барқ ​​(Vdss) : 1000V
Ҷараёни - Давршавии муттасил (Id) @ 25 ° C : 18A (Tc)
Радди барқ ​​(ҳадди аксар Rds, min Rds фаъол аст) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 660 mOhm @ 9A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 6.5V @ 4mA
Ҳаққи дарвоза (Qg) (Макс) @ Vgs : 90nC @ 10V
Vgs (Макс) : ±30V
Қобилияти воридшавӣ (Ciss) (Max) @ Vds : 4890pF @ 25V
Хусусияти FET : -
Тақсимоти барқ ​​(Макс) : 830W (Tc)
Ҳарорати амалиётӣ : -55°C ~ 150°C (TJ)
Навъи монтаж : Surface Mount
Бастаи дастгоҳҳои таҳвилкунанда : TO-268
Бастаи / Парвандаи : TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA