Microsemi Corporation - 1N5809/TR

KEY Part #: K6447139

Категорияҳои оила:: KEY Component Co., LTD як дистрибютор оид ба қисматҳои электронӣ мебошад, ки категорияҳои маҳсулотро пешниҳод мекунад, аз ҷумла: Тиристорҳо - DIACs, SIDACs, Транзисторҳо - Биполярӣ (BJT) - Ягона, Диодҳо - Rectifiers Bridge, Транзисторҳо - IGBTs - массивҳо, Транзисторҳо - FETS, MOSFETҳо - ягона, Диодҳо - Rectifiers - ягона, Транзисторҳо - ФЕТҳо, MOSFETҳо - Массивҳо and Транзисторҳо - Биполярӣ (BJT) - RF ...

Афзалияти рақобатӣ:: We specialize in Microsemi Corporation 1N5809/TR electronic components. 1N5809/TR can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for 1N5809/TR, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com

Рақами Қисм : 1N5809/TR

Истеҳсолкунанда : Microsemi Corporation

Тавсифи : UFRFRR

Серияхо : -

Статуси Қисми : Active

Навъи диод : Standard

Қувват - баръакс DC (Vr) (Макс) : 100V

Ҷорӣ - Меъёрҳои ислоҳшуда (Io) : 3A

Шиддат - Ирсол (Vf) (Макс) @ Агар : 875mV @ 4A

Суръат : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Вақти барқароркунӣ бо баръакс (трр) : 30ns

Ҷорӣ - Рафъшавии баръакс @ Vr : 5µA @ 100V

Иқтидори @ Vr, F : 60pF @ 10V, 1MHz

Навъи монтаж : Through Hole

Бастаи / Парвандаи : B, Axial

Бастаи дастгоҳҳои таҳвилкунанда : B, Axial

Ҳарорати амалиётӣ - Ягонагӣ : -65°C ~ 175°C

Шояд шумо низ таваҷҷӯҳ зоҳир карда метавонед

DGS13-025CS

IXYS

DIODE SCHOTTKY 250V 21A TO252AA.
MA3X0280BL

Panasonic Electronic Components

DIODE GEN PURP 6V 150MA MINI3.
CSD10060G

Cree/Wolfspeed

DIODE SCHOTTKY 600V 16.5A TO263.
VS-8EWX06FN-M3

Vishay Semiconductor Diodes Division

DIODE GEN PURP 600V 8A TO252. Rectifiers 8A 600V 15ns Hyperfast
NSB8MTHE3/81

Vishay Semiconductor Diodes Division

DIODE GEN PURP 1KV 8A TO263AB.
NSB8KTHE3/81

Vishay Semiconductor Diodes Division

DIODE GEN PURP 800V 8A TO263AB.

Қисмҳои гарм