Рақами Қисм :
HAT2099H-EL-E
Истеҳсолкунанда :
Renesas Electronics America
Тавсифи :
MOSFET N-CH 30V 50A LFPAK
Технология :
MOSFET (Metal Oxide)
Холӣ кардани қувваи барқ (Vdss) :
30V
Ҷараёни - Давршавии муттасил (Id) @ 25 ° C :
50A (Ta)
Радди барқ (ҳадди аксар Rds, min Rds фаъол аст) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
3.7 mOhm @ 25A, 10V
Ҳаққи дарвоза (Qg) (Макс) @ Vgs :
75nC @ 10V
Қобилияти воридшавӣ (Ciss) (Max) @ Vds :
4750pF @ 10V
Тақсимоти барқ (Макс) :
30W (Tc)
Ҳарорати амалиётӣ :
150°C (TJ)
Навъи монтаж :
Surface Mount
Бастаи дастгоҳҳои таҳвилкунанда :
LFPAK
Бастаи / Парвандаи :
SC-100, SOT-669