Рақами Қисм :
SPU01N60C3BKMA1
Истеҳсолкунанда :
Infineon Technologies
Тавсифи :
MOSFET N-CH 650V 0.8A TO-251
Технология :
MOSFET (Metal Oxide)
Холӣ кардани қувваи барқ (Vdss) :
650V
Ҷараёни - Давршавии муттасил (Id) @ 25 ° C :
800mA (Tc)
Радди барқ (ҳадди аксар Rds, min Rds фаъол аст) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
6 Ohm @ 500mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
3.9V @ 250µA
Ҳаққи дарвоза (Qg) (Макс) @ Vgs :
5nC @ 10V
Қобилияти воридшавӣ (Ciss) (Max) @ Vds :
100pF @ 25V
Тақсимоти барқ (Макс) :
11W (Tc)
Ҳарорати амалиётӣ :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Навъи монтаж :
Through Hole
Бастаи дастгоҳҳои таҳвилкунанда :
PG-TO251-3
Бастаи / Парвандаи :
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA