UGB8AT-E3/81 Нархгузорӣ (доллари ИМА) [116523дона саҳҳомӣ]
- 1 pcs$0.31742
- 800 pcs$0.29730
- Рақами Қисм:
- UGB8AT-E3/81
- Истеҳсолкунанда:
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- Тавсифи муфассал:
- DIODE GEN PURP 50V 8A TO263AB. Rectifiers 50 Volt 8.0A 20ns 150 Amp IFSM
- Manufacturer's standard lead time:
- Дар фурӯш
- Муҳлати нигоҳдорӣ:
- Як сол
- Chip Аз:
- Гонконг
- RoHS:
- Намуди пардохт:
-
- Тарзи интиқол:
- Категорияҳои оила:
- KEY Component Co., LTD як дистрибютор оид ба қисматҳои электронӣ мебошад, ки категорияҳои маҳсулотро пешниҳод мекунад, аз ҷумла: Диодҳо - Zener - Ягона, Транзисторҳо - ФЕТҳо, MOSFETҳо - RF, Транзисторҳо - Биполярӣ (BJT) - Масрҳо, қабл аз ға, Транзисторҳо - Биполярӣ (BJT) - RF, Диодҳо - Rectifiers - ягона, Диодҳо - Rectifiers Bridge, Диодҳо - Иқтидори тағйирёбанда (Варикапс, Варактор and Диодҳо - Зенер - Массивҳо ...
- Афзалияти рақобатӣ:
- We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division UGB8AT-E3/81 electronic components. UGB8AT-E3/81 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for UGB8AT-E3/81, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
UGB8AT-E3/81 Аттрибутҳои маҳсулот
Рақами Қисм :
UGB8AT-E3/81
Истеҳсолкунанда :
Vishay Semiconductor Diodes Division
Тавсифи :
DIODE GEN PURP 50V 8A TO263AB
Серияхо :
-
Статуси Қисми :
Active
Навъи диод :
Standard
Қувват - баръакс DC (Vr) (Макс) :
50V
Ҷорӣ - Меъёрҳои ислоҳшуда (Io) :
8A
Шиддат - Ирсол (Vf) (Макс) @ Агар :
1V @ 8A
Суръат :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Вақти барқароркунӣ бо баръакс (трр) :
30ns
Ҷорӣ - Рафъшавии баръакс @ Vr :
10µA @ 50V
Иқтидори @ Vr, F :
-
Навъи монтаж :
Surface Mount
Бастаи / Парвандаи :
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Бастаи дастгоҳҳои таҳвилкунанда :
TO-263AB
Ҳарорати амалиётӣ - Ягонагӣ :
-55°C ~ 150°C
Охирин хабарҳо
Шояд шумо низ таваҷҷӯҳ зоҳир карда метавонед
-
SL03-GS08
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE SCHOTTKY 30V 1.1A DO219AB. Schottky Diodes & Rectifiers 1.1A .395V
-
FESB8DTHE3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 200V 8A TO263AB. Rectifiers 200 Volt 8.0A 35ns Single
-
BYWB29-100HE3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 100V 8A TO263AB. Rectifiers 100 Volt 8.0A 25ns Single Glass Pass
-
BYWB29-200HE3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 200V 8A TO263AB. Rectifiers 200 Volt 8.0A 25ns Single Glass Pass
-
BYWB29-50HE3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 50V 8A TO263AB. Rectifiers 50 Volt 8.0A 25ns Single Glass Pass
-
BYWB29-150HE3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 150V 8A TO263AB. Rectifiers 150 Volt 8.0A 25ns Single Glass Pass
Қисмҳои гарм
- MBR1645-10HE3/45
- D251K12BXPSA1
- JTXM19500/469-05
- UF1503S-B
- SB05-05C-M-TB-E
- LS412060
- FR204TA
- JANTX1N6661US
- RGP10K-M3/73
- GP10G-4004E-M3/73
- RU 3AM
- RF 1A
- SD24145
- JANTXV1N5802
- MBRB1050HE3/45
- HER604-TP
- SS1H10HE3/61T
- S5MHE3/57T
- ESH2PD-E3/84A
- SS8PH9HM3/87A
- SS2P3-E3/85A
- SS1H10HE3/5AT
- SS19-E3/5AT
- GP30KHE3/54
- GP20B-E3/54
- EGP20DHE3/73
- STPS1545R
- STTH3002G
- LSM345JE3
- ES2A-TP
- VS-HFA16TB120PBF
- VS-1N5819
- 241NQ045R
- 1N6630
- RL103-AP
- ER303-AP
- RO 2CV1
- RU 3AV1
- S10MC M6G
- ES3A M6G