Diodes Incorporated - ZXMN3B14FTA

KEY Part #: K6419986

ZXMN3B14FTA Нархгузорӣ (доллари ИМА) [378276дона саҳҳомӣ]

  • 1 pcs$0.09827
  • 3,000 pcs$0.09778

Рақами Қисм:
ZXMN3B14FTA
Истеҳсолкунанда:
Diodes Incorporated
Тавсифи муфассал:
MOSFET N-CH 30V 2.9A SOT23-3.
Manufacturer's standard lead time:
Дар фурӯш
Муҳлати нигоҳдорӣ:
Як сол
Chip Аз:
Гонконг
RoHS:
Намуди пардохт:
Тарзи интиқол:
Категорияҳои оила:
KEY Component Co., LTD як дистрибютор оид ба қисматҳои электронӣ мебошад, ки категорияҳои маҳсулотро пешниҳод мекунад, аз ҷумла: Транзисторҳо - ФЕТҳо, MOSFETҳо - RF, Диодҳо - RF, Транзисторҳо - FETS, MOSFETҳо - ягона, Транзисторҳо - Биполярӣ (BJT) - Ягонагӣ, қабеҳ, Транзисторҳо - Биполярӣ (BJT) - Ягона, Модулҳои драйвери барқ, Диодҳо - Зенер - Массивҳо and Транзисторҳо - ФЕТҳо, MOSFETҳо - Массивҳо ...
Афзалияти рақобатӣ:
We specialize in Diodes Incorporated ZXMN3B14FTA electronic components. ZXMN3B14FTA can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for ZXMN3B14FTA, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

ZXMN3B14FTA Аттрибутҳои маҳсулот

Рақами Қисм : ZXMN3B14FTA
Истеҳсолкунанда : Diodes Incorporated
Тавсифи : MOSFET N-CH 30V 2.9A SOT23-3
Серияхо : -
Статуси Қисми : Active
Навъи FET : N-Channel
Технология : MOSFET (Metal Oxide)
Холӣ кардани қувваи барқ ​​(Vdss) : 30V
Ҷараёни - Давршавии муттасил (Id) @ 25 ° C : 2.9A (Ta)
Радди барқ ​​(ҳадди аксар Rds, min Rds фаъол аст) : 2.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 80 mOhm @ 3.1A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 700mV @ 250µA
Ҳаққи дарвоза (Qg) (Макс) @ Vgs : 6.7nC @ 4.5V
Vgs (Макс) : ±12V
Қобилияти воридшавӣ (Ciss) (Max) @ Vds : 568pF @ 15V
Хусусияти FET : -
Тақсимоти барқ ​​(Макс) : 1W (Ta)
Ҳарорати амалиётӣ : -55°C ~ 150°C (TJ)
Навъи монтаж : Surface Mount
Бастаи дастгоҳҳои таҳвилкунанда : SOT-23-3
Бастаи / Парвандаи : TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Шояд шумо низ таваҷҷӯҳ зоҳир карда метавонед