Истеҳсолкунанда :
Rohm Semiconductor
Тавсифи :
MOSFET N-CH 10V DRIVE CPT
Статуси Қисми :
Not For New Designs
Технология :
MOSFET (Metal Oxide)
Холӣ кардани қувваи барқ (Vdss) :
400V
Ҷараёни - Давршавии муттасил (Id) @ 25 ° C :
8A (Ta)
Радди барқ (ҳадди аксар Rds, min Rds фаъол аст) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
950 mOhm @ 4A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4.5V @ 1mA
Ҳаққи дарвоза (Qg) (Макс) @ Vgs :
15nC @ 10V
Қобилияти воридшавӣ (Ciss) (Max) @ Vds :
500pF @ 25V
Тақсимоти барқ (Макс) :
20W (Tc)
Ҳарорати амалиётӣ :
150°C (TJ)
Навъи монтаж :
Surface Mount
Бастаи дастгоҳҳои таҳвилкунанда :
CPT3
Бастаи / Парвандаи :
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63