Истеҳсолкунанда :
Infineon Technologies
Тавсифи :
MOSFET N-CH 100V DIRECTFET-MN
Технология :
MOSFET (Metal Oxide)
Холӣ кардани қувваи барқ (Vdss) :
100V
Ҷараёни - Давршавии муттасил (Id) @ 25 ° C :
10.3A (Ta), 60A (Tc)
Радди барқ (ҳадди аксар Rds, min Rds фаъол аст) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
13 mOhm @ 10.3A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4.8V @ 150µA
Ҳаққи дарвоза (Qg) (Макс) @ Vgs :
47nC @ 10V
Қобилияти воридшавӣ (Ciss) (Max) @ Vds :
2210pF @ 25V
Тақсимоти барқ (Макс) :
2.8W (Ta), 89W (Tc)
Ҳарорати амалиётӣ :
-40°C ~ 150°C (TJ)
Навъи монтаж :
Surface Mount
Бастаи дастгоҳҳои таҳвилкунанда :
DIRECTFET™ MN
Бастаи / Парвандаи :
DirectFET™ Isometric MN