IXYS - IXTH5N100A

KEY Part #: K6394057

IXTH5N100A Нархгузорӣ (доллари ИМА) [11696дона саҳҳомӣ]

  • 1 pcs$4.07220
  • 30 pcs$4.05194

Рақами Қисм:
IXTH5N100A
Истеҳсолкунанда:
IXYS
Тавсифи муфассал:
MOSFET N-CH 1000V 5A TO247AD.
Manufacturer's standard lead time:
Дар фурӯш
Муҳлати нигоҳдорӣ:
Як сол
Chip Аз:
Гонконг
RoHS:
Намуди пардохт:
Тарзи интиқол:
Категорияҳои оила:
KEY Component Co., LTD як дистрибютор оид ба қисматҳои электронӣ мебошад, ки категорияҳои маҳсулотро пешниҳод мекунад, аз ҷумла: Диодҳо - RF, Диодҳо - Rectifiers - ягона, Диодҳо - Rectifiers Bridge, Транзисторҳо - Биполяр (BJT) - Массаҳо, Транзисторҳо - Биполярӣ (BJT) - Ягонагӣ, қабеҳ, Транзисторҳо - Unijunction барномарезишуда, Тиристорҳо - SCRs - Модулҳо and Тиристорҳо - DIACs, SIDACs ...
Афзалияти рақобатӣ:
We specialize in IXYS IXTH5N100A electronic components. IXTH5N100A can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IXTH5N100A, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IXTH5N100A Аттрибутҳои маҳсулот

Рақами Қисм : IXTH5N100A
Истеҳсолкунанда : IXYS
Тавсифи : MOSFET N-CH 1000V 5A TO247AD
Серияхо : -
Статуси Қисми : Active
Навъи FET : N-Channel
Технология : MOSFET (Metal Oxide)
Холӣ кардани қувваи барқ ​​(Vdss) : 1000V
Ҷараёни - Давршавии муттасил (Id) @ 25 ° C : 5A (Tc)
Радди барқ ​​(ҳадди аксар Rds, min Rds фаъол аст) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 2 Ohm @ 2.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4.5V @ 250µA
Ҳаққи дарвоза (Qg) (Макс) @ Vgs : 130nC @ 10V
Vgs (Макс) : ±20V
Қобилияти воридшавӣ (Ciss) (Max) @ Vds : 2600pF @ 25V
Хусусияти FET : -
Тақсимоти барқ ​​(Макс) : 180W (Tc)
Ҳарорати амалиётӣ : -55°C ~ 150°C (TJ)
Навъи монтаж : Through Hole
Бастаи дастгоҳҳои таҳвилкунанда : TO-247 (IXTH)
Бастаи / Парвандаи : TO-247-3

Шояд шумо низ таваҷҷӯҳ зоҳир карда метавонед