Рақами Қисм :
SI4752DY-T1-GE3
Истеҳсолкунанда :
Vishay Siliconix
Тавсифи :
MOSFET N-CH 30V 25A 8-SO
Серияхо :
SkyFET®, TrenchFET®
Технология :
MOSFET (Metal Oxide)
Холӣ кардани қувваи барқ (Vdss) :
30V
Ҷараёни - Давршавии муттасил (Id) @ 25 ° C :
25A (Tc)
Радди барқ (ҳадди аксар Rds, min Rds фаъол аст) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
5.5 mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.2V @ 1mA
Ҳаққи дарвоза (Qg) (Макс) @ Vgs :
43nC @ 10V
Қобилияти воридшавӣ (Ciss) (Max) @ Vds :
1700pF @ 15V
Хусусияти FET :
Schottky Diode (Body)
Тақсимоти барқ (Макс) :
3W (Ta), 6.25W (Tc)
Ҳарорати амалиётӣ :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Навъи монтаж :
Surface Mount
Бастаи дастгоҳҳои таҳвилкунанда :
8-SO
Бастаи / Парвандаи :
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)