Истеҳсолкунанда :
ON Semiconductor
Тавсифи :
MOSFET N/P-CH 30V/20V 8SOIC
Навъи FET :
N and P-Channel
Хусусияти FET :
Logic Level Gate
Холӣ кардани қувваи барқ (Vdss) :
30V, 20V
Ҷараёни - Давршавии муттасил (Id) @ 25 ° C :
9.3A, 5.6A
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
18 mOhm @ 9.3A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
3V @ 250µA
Ҳаққи дарвоза (Qg) (Макс) @ Vgs :
27nC @ 4.5V
Қобилияти воридшавӣ (Ciss) (Max) @ Vds :
1958pF @ 10V
Ҳарорати амалиётӣ :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Навъи монтаж :
Surface Mount
Бастаи / Парвандаи :
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Бастаи дастгоҳҳои таҳвилкунанда :
8-SOIC