GeneSiC Semiconductor - GA20JT12-247

KEY Part #: K6404174

Категорияҳои оила:: KEY Component Co., LTD як дистрибютор оид ба қисматҳои электронӣ мебошад, ки категорияҳои маҳсулотро пешниҳод мекунад, аз ҷумла: Тиристорҳо - TRIACs, Диодҳо - Rectifiers - ягона, Транзисторҳо - Биполярӣ (BJT) - RF, Модулҳои драйвери барқ, Тиристорҳо - SCRs - Модулҳо, Транзисторҳо - IGBTs - массивҳо, Транзисторҳо - Биполярӣ (BJT) - Ягонагӣ, қабеҳ and Диодҳо - Rectifiers - Массаҳо ...

Афзалияти рақобатӣ:: We specialize in GeneSiC Semiconductor GA20JT12-247 electronic components. GA20JT12-247 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for GA20JT12-247, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com

Рақами Қисм : GA20JT12-247

Истеҳсолкунанда : GeneSiC Semiconductor

Тавсифи : TRANS SJT 1.2KV 20A

Серияхо : -

Статуси Қисми : Obsolete

Навъи FET : -

Технология : SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)

Холӣ кардани қувваи барқ (Vdss) : 1200V

Ҷараёни - Давршавии муттасил (Id) @ 25 ° C : 20A (Tc)

Радди барқ (ҳадди аксар Rds, min Rds фаъол аст) : -

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 70 mOhm @ 20A

Vgs (th) (Max) @ Id : -

Ҳаққи дарвоза (Qg) (Макс) @ Vgs : -

Vgs (Макс) : -

Қобилияти воридшавӣ (Ciss) (Max) @ Vds : -

Хусусияти FET : -

Тақсимоти барқ (Макс) : 282W (Tc)

Ҳарорати амалиётӣ : 175°C (TJ)

Навъи монтаж : Through Hole

Бастаи дастгоҳҳои таҳвилкунанда : TO-247AB

Бастаи / Парвандаи : TO-247-3

Шояд шумо низ таваҷҷӯҳ зоҳир карда метавонед

NP60N055VUK-E1-AY

Renesas Electronics America

MOSFET N-CH 55V 60A TO-252.
NP60N04VUK-E1-AY

Renesas Electronics America

MOSFET N-CH 40V 60A TO-252.
AUIRLR024Z

Infineon Technologies

MOSFET N CH 55V 16A DPAK.
AUIRFR4292

Infineon Technologies

MOSFET N CH 250V 9.3A DPAK.
IRFR7440PBF

Infineon Technologies

MOSFET N CH 40V 90A DPAK.
TK16A60W5,S4VX

Toshiba Semiconductor and Storage

MOSFET N CH 600V 15.8A TO-220SIS.