Истеҳсолкунанда :
Vishay Siliconix
Тавсифи :
MOSFET N-CH 250V 450MA 4-DIP
Технология :
MOSFET (Metal Oxide)
Холӣ кардани қувваи барқ (Vdss) :
250V
Ҷараёни - Давршавии муттасил (Id) @ 25 ° C :
450mA (Ta)
Радди барқ (ҳадди аксар Rds, min Rds фаъол аст) :
-
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
2 Ohm @ 270mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 250µA
Ҳаққи дарвоза (Qg) (Макс) @ Vgs :
8.2nC @ 10V
Қобилияти воридшавӣ (Ciss) (Max) @ Vds :
140pF @ 25V
Тақсимоти барқ (Макс) :
-
Ҳарорати амалиётӣ :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Навъи монтаж :
Through Hole
Бастаи дастгоҳҳои таҳвилкунанда :
4-DIP, Hexdip, HVMDIP
Бастаи / Парвандаи :
4-DIP (0.300", 7.62mm)